[实用新型]一种多线切割硅锭的装置

说明书

本实用新型提供一种多线切割硅锭的装置，包括晶托和绕线切割装置，所述绕线切割装置包括第一导辊、第二导辊和切割线，多段切割线依次沿导辊的轴线方向环绕设置在第一导辊和第二导辊的外侧，第一导辊和第二导辊带动切割线往复移动，形成间断式切割线网，晶托位于绕线切割装置的上方，晶托下方粘接有多个硅锭，硅锭与切割线为线接触或点接触。采用分段式结构的切割线替代现有的连贯性线网，可根据待切割硅块的数量和长度，沿辊的轴线方向分段设置成不同数量和长度的间断式线网，能避开待切割硅块的端面和拼缝，有效解决晶体硅块之间的缝隙导致金刚线跳线或断线的难题，从而提高切割晶体硅片的质量和产量。

技术领域

本实用新型涉及硅片切割技术领域，具体涉及一种多线切割硅锭的装置。

背景技术

目前，晶硅可作为太阳能电池已在光伏行业中得到广泛的应用，根据需要将单、多晶硅块切割为一定厚度的晶体硅片。由于晶硅硬度高，一般采用金刚线切割加工晶体硅块，在现有的切割装置中单根切割线以主辊槽型为轨道通过人工布线的模式，形成初始一种螺旋形貌的切割线网，再依靠设备自身运转依次将线缠绕在主辊的每个槽型中，最终形成单一螺旋形貌的连贯性线网，每道线之间的距离为微米级（约在270-345μm之间）。待切割的硅块并非为单块硅块，一般是3-6块硅块通过树脂粘接在晶托上进行加工切割，一方面待切割的硅块端面平整度的误差或硅块粘接之间的拼缝均为毫米级（约在1000-3500μm之间），是切割线间距的8倍以上，另一方面粘接硅块的树脂无论是双组份还是单组份，在粘胶硅块移动排气泡时会在硅块拼缝形成淤积，此类树脂在切割过程中由于温度上升会变软极形成“过滤”，过滤砂浆或粘黏在金刚石粉，阻碍硅片的正常切割。

在多线切割过程中，硅块端面不平、拼缝溢胶和硅块端面爬坡都会造成切割线跳线或断线，不仅导致硅片的切割面不平整，产品质量不能满足要求，成品率低，而且线网中任何一根断线都会导致硅片停止加工，降低了晶体硅块的切割效率，影响产量的提升。设计一种多线切割硅锭的装置，能有效解决晶体硅块之间的缝隙导致金刚线跳线或断线的难题，从而提高切割晶体硅片的质量和产量，是目前本领域技术人员亟待解决的问题。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题是提供一种多线切割硅锭的装置，能有效解决晶体硅块之间的缝隙导致金刚线跳线或断线的难题，从而提高切割晶体硅片的质量和产量。

为解决上述技术问题，本实用新型所采用的技术方案是：一种多线切割硅锭的装置，包括晶托和绕线切割装置，所述绕线切割装置包括第一导辊、第二导辊和切割线，多段切割线依次沿导辊的轴线方向环绕设置在第一导辊和第二导辊的外侧，第一导辊和第二导辊带动切割线往复移动，形成间断式切割线网，晶托位于绕线切割装置的上方，晶托下方粘接有多个硅锭，硅锭与切割线为线接触或点接触。

优选的方案中，所述多段切割线的间距大于多个硅锭的间距。

优选的方案中，所述第一导辊和第二导辊两端切割线环绕的圈数大于中部切割线环绕的圈数。

优选的方案中，所述第一导辊的直径大于第二导辊的直径。

优选的方案中，所述硅锭分别对应一段切割线粘接在晶托上，并且硅锭之间的拼缝位于多段切割线间隔的正上方。

优选的方案中，所述硅锭底部之间的拼缝设有定位条，定位条位于多段切割线间隔的正上方。

优选的方案中，所述硅锭底面与间断式切割线网形成5-30度的夹角。

优选的方案中，所述夹角为8-15度。

优选的方案中，所述切割线为电镀金刚线，金刚线包括钢丝和金刚石颗粒层，在钢丝表面电镀多层金刚石颗粒层，且金刚石的粒径依次减小。

优选的方案中，所述钢丝与金刚石颗粒层之间设有荧光涂层，用于指示金刚线的磨损程度。

本实用新型提供一种多线切割硅锭的装置，采用上述结构具有以下有益效果：