[实用新型]一种物理气相沉积设备

说明书

本实用新型公开了一种物理气相沉积设备，包括气相沉积箱和蒸镀器，气相沉积箱上部的两侧对应竖直安装有两组驱动电机，两组驱动电机的输出轴末端对应连接两根丝杆的顶端，两根丝杆的外部对应通过两根连接杆连接托架两侧的中部，本实用新型，利用驱动电机驱动丝杆转动，丝杆转动驱动连接杆上下移动，连接杆上下移动带动托架上下移动，便于基片的放置以及基片位置的调整，利于提高气相沉积作业的效率；利用转动电机驱动连接筒转动，连接筒转动驱动出气口转动使基片底面均匀的蒸镀，提高镀膜的质量；利用气缸工作驱动弧形板转动导向蒸发物气体集中向一小区域流动，便于小范围和小区域的基片镀膜工作，提高装置整体的适应性。

技术领域

本实用新型涉及镀膜装置相关技术领域，具体为一种物理气相沉积设备。

背景技术

物理气相沉积技术表示在真空条件下，采用物理方法，将材料源--固体或液体表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子，并通过低压气体或等离子体过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。物理气相沉积的主要方法有，真空蒸镀、溅射镀膜、电弧等离子体镀、离子镀膜，及分子束外延等。发展到目前，物理气相沉积技术不仅可沉积金属膜、合金膜、还可以沉积化合物、陶瓷、半导体、聚合物膜等。现有物理气相沉积设备托架位置固定，基片不易安放且位置调整不易，镀膜的蒸发物沉积不均，镀膜质量不佳且一般的物理气相沉积设备往往只能进行大范围的蒸镀作业而对小范围的基片蒸镀效果不佳，为此本实用新型提出一种物理气相沉积设备用于解决上述问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种物理气相沉积设备，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种物理气相沉积设备，包括气相沉积箱和蒸镀器，所述气相沉积箱上部的两侧对应竖直安装有两组驱动电机，两组所述驱动电机的输出轴末端对应连接两根丝杆的顶端，两根所述丝杆的外部对应通过两根连接杆连接托架两侧的中部，所述气相沉积箱外部一侧的下部安装有真空泵，所述气相沉积箱的底部水平安装有导轨，所述导轨的上部安装移动小车，所述移动小车的上部竖直安装有蒸镀器，所述气相沉积箱顶部开口的上部滑动安装有活动门，所述蒸镀器包括密封箱、蒸发物、加热电阻丝、导筒、连接筒、出气口和导流板，所述密封箱底板的中部放置有蒸发物，所述密封箱两侧开设的凹槽内对应安装有加热电阻丝，所述密封箱顶部开口的上部焊接有导筒，所述导筒的上部连接有连接筒，所述连接筒的顶端水平焊接有出气口，所述出气口的上部水平安装有导流板。

优选的，所述蒸镀器还包括转动电机，所述转动电机的输出轴末端安装有齿轮啮合连接筒外侧开设的齿槽。

优选的，所述连接筒下部的外表面安装有密封圈且密封圈外缘与导筒内侧接触，所述导筒内部的两侧对应安装有两组电阻丝。

优选的，所述导流板包括弧形板、气缸和支杆，两片所述弧形板的中部对应通过两根支杆转动连接出气口的两侧，两片所述弧形板的底部对应转动连接两组气缸的活塞杆末端，两组所述气缸的底端对应通过两片固定片连接出气口底部两侧。

优选的，所述真空泵顶部的接口连接输气管的一端，所述输气管的另一端连通气相沉积箱的内部。

优选的，两根所述连接杆的底端焊接固定于托架的两侧，两根所述连接杆的顶端通过焊接的丝杆螺母螺纹对应连接两根丝杆。

优选的，两根所述丝杆底端对应转动连接气相沉积箱的侧壁，所述气相沉积箱顶部的开口上部安装有密封圈。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

1.利用驱动电机驱动丝杆转动，丝杆转动驱动连接杆上下移动，连接杆上下移动带动托架上下移动，便于基片的放置以及基片位置的调整，利于提高气相沉积作业的效率；

2.利用转动电机驱动连接筒转动，连接筒转动驱动出气口转动使基片底面均匀的蒸镀，提高镀膜的质量；