[实用新型]带有围堰的多芯片封装模块结构有效

专利信息
申请号: 201821288936.9 申请日: 2018-08-10
公开(公告)号: CN208655636U 公开(公告)日: 2019-03-26
发明(设计)人: 付伟 申请(专利权)人: 付伟
主分类号: H01L25/16 分类号: H01L25/16;H01L23/538;H01L21/52
代理公司: 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 代理人: 沈晓敏
地址: 215123 江苏省苏州市工业园*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 封装基板 多芯片封装模块 滤波器芯片 下表面 围堰 本实用新型 基板上表面 第二电极 第一电极 功能芯片 外部引脚 面对面设置 高度集成 互连结构 相对设置 芯片封装 多芯片 上表面 导通 空腔 腔室 围设 封装 室内 配合
【权利要求书】:

1.一种带有围堰的多芯片封装模块结构,其特征在于,包括:

封装基板,具有相对设置的基板上表面及基板下表面,所述封装基板的一侧具有若干外部引脚,且所述封装基板具有腔室;

功能芯片,设置于所述腔室内,所述功能芯片具有相对设置的第一上表面及第一下表面,且所述功能芯片具有若干第一电极;

滤波器芯片,设置于所述封装基板的上方,所述滤波器芯片具有相对设置的第二上表面及第二下表面,所述第二下表面与所述基板上表面面对面设置,且所述滤波器芯片具有若干第二电极;

围堰,与所述第二下表面及所述基板上表面配合而围设形成空腔;

若干互连结构,用于导通若干第一电极、若干第二电极及若干外部引脚。

2.根据权利要求1所述的多芯片封装模块结构,其特征在于,所述基板下表面的一侧具有若干外部引脚,所述封装基板具有若干通孔,所述第二电极位于所述第二下表面,所述互连结构通过所述通孔而导通所述第二电极、所述第一电极及所述外部引脚。

3.根据权利要求2所述的多芯片封装模块结构,其特征在于,所述第一电极位于所述第一下表面,所述互连结构包括金属层,所述金属层充填所述通孔内部区域并往所述基板下表面方向延伸而导通所述第一电极。

4.根据权利要求3所述的多芯片封装模块结构,其特征在于,所述多芯片封装模块结构还包括设置于所述基板下表面及所述金属层之间的第一绝缘层、包覆所述第一绝缘层及所述金属层的第二绝缘层、经过所述第二绝缘层上的孔洞导通所述金属层并往所述第二绝缘层的下表面方向延伸的下重布线层以及包覆所述第二绝缘层及所述下重布线层的第三绝缘层,所述外部引脚连接所述下重布线层,且所述第三绝缘层暴露所述外部引脚。

5.根据权利要求2所述的多芯片封装模块结构,其特征在于,所述围堰包括位于所述通孔内侧的第一围堰及位于所述通孔外侧的第二围堰。

6.根据权利要求5所述的多芯片封装模块结构,其特征在于,若干通孔围设形成的内轮廓连接所述第一围堰,若干通孔围设形成的外轮廓连接所述第二围堰,所述第一围堰与所述第二围堰相互连通。

7.根据权利要求5所述的多芯片封装模块结构,其特征在于,所述第二围堰朝远离所述第一围堰的方向延伸直至所述第二围堰的外侧缘与所述封装基板的外侧缘齐平。

8.根据权利要求5所述的多芯片封装模块结构,其特征在于,所述多芯片封装模块结构还包括位于所述封装基板远离所述基板下表面的一侧的塑封层,所述塑封层同时包覆所述第二围堰暴露在外的上表面区域、所述滤波器芯片及所述功能芯片,且所述塑封层填充所述功能芯片与所述腔室之间的间隙。

9.根据权利要求1所述的多芯片封装模块结构,其特征在于,所述滤波器芯片与所述功能芯片相互错开分布。

10.根据权利要求1所述的多芯片封装模块结构,其特征在于,所述第一上表面上设置有至少一被动元件。

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