[实用新型]一种氧化物基薄膜晶体管型紫外探测器有效
| 申请号： | 201821362769.8 | 申请日： | 2018-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN208767320U | 公开（公告）日： | 2019-04-19 |
| 发明（设计）人： | 张耿;刘敏霞;王红成;张绍强;郑华 | 申请（专利权）人： | 东莞理工学院 |
| 主分类号： | H01L31/113 | 分类号： | H01L31/113 |
| 代理公司： | 东莞市华南专利商标事务所有限公司 44215 | 代理人： | 李慧 |
| 地址： | 523000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 紫外探测器 复合层 沟道层 纳米金属颗粒 本实用新型 底材上表面 复合绝缘层 金属电极 晶体管型 电极层 基薄膜 氧化物 薄膜晶体管型 紫外光照射 呈倒扣状 光载流子 源漏电流 紫外探测 紫外光 暗电流 光电流 敏感度 上表面 下表面 包覆 底材 卡设 对称 吸收 | ||
1.一种氧化物基薄膜晶体管型紫外探测器，其特征在于：包括底材、设置于所述底材上表面的复合层、以及对称卡设于所述复合层两侧的金属电极；所述复合层包括电极层、SiO2/Si3N4复合绝缘层、IGZO沟道层和纳米金属颗粒，所述电极层的下表面与所述底材的上表面连接，所述SiO2/Si3N4复合绝缘层呈倒扣状包覆于所述电极层的表面，所述IGZO沟道层设置于所述SiO2/Si3N4复合绝缘层的上表面，所述纳米金属颗粒分布于所述IGZO沟道层的上表面；所述SiO2/Si3N4复合绝缘层的两侧和IGZO沟道层的两侧均与所述金属电极连接，所述金属电极的下表面与所述底材的上表面连接；所述纳米金属颗粒在IGZO沟道层上表面的分布密度为1*106-1*1012/cm2。
2.根据权利要求1所述的一种氧化物基薄膜晶体管型紫外探测器，其特征在于：所述纳米金属颗粒为Au、Pt、Ag或Al，所述纳米金属颗粒的粒径为5-20nm。
3.根据权利要求1所述的一种氧化物基薄膜晶体管型紫外探测器，其特征在于：所述底材为低阻Si片，所述低阻Si片的电阻率为0.01-3.0Ω·cm。
4.根据权利要求1所述的一种氧化物基薄膜晶体管型紫外探测器，其特征在于：所述金属电极顶部的水平面低于所述IGZO沟道层顶部的水平面。
5.根据权利要求1所述的一种氧化物基薄膜晶体管型紫外探测器，其特征在于：所述IGZO沟道层的平面面积小于所述SiO2/Si3N4复合绝缘层的平面面积。
6.根据权利要求1所述的一种氧化物基薄膜晶体管型紫外探测器，其特征在于：所述IGZO沟道层的平面面积为所述SiO2/Si3N4复合绝缘层的平面面积的3/5至9/10。
7.根据权利要求1所述的一种氧化物基薄膜晶体管型紫外探测器，其特征在于：所述SiO2/Si3N4复合绝缘层包括包覆于所述电极层表面的SiO2绝缘层和包覆于所述SiO2绝缘层表面的Si3N4绝缘层，所述SiO2绝缘层的厚度为100-150nm，所述Si3N4绝缘层的厚度为50-200nm。
8.根据权利要求1所述的一种氧化物基薄膜晶体管型紫外探测器，其特征在于：所述IGZO沟道层的厚度为60-120nm。
9.根据权利要求1所述的一种氧化物基薄膜晶体管型紫外探测器，其特征在于：所述金属电极为厚度在100-300nm的Al电极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
