[实用新型]堆叠嵌入式封装结构有效
申请号: | 201821544238.0 | 申请日: | 2018-09-20 |
公开(公告)号: | CN208655635U | 公开(公告)日: | 2019-03-26 |
发明(设计)人: | 蔡亲佳 | 申请(专利权)人: | 蔡亲佳 |
主分类号: | H01L25/065 | 分类号: | H01L25/065;H01L23/538;H01L21/50 |
代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 沈晓敏 |
地址: | 215000 江苏省苏州市工业园区金鸡*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装基板 第一电极 嵌入式封装结构 本实用新型 第二电极 互连结构 芯片 下表面 导通 堆叠 封装 半导体芯片封装 半导体封装体 基板上表面 基板下表面 电子制造 封装结构 高度集成 人力物力 相对设置 芯片封装 多芯片 省略 腔室 电子产品 室内 贯穿 节约 流通 加工 | ||
1.一种堆叠嵌入式封装结构,其特征在于,包括:
封装基板,具有相对设置的基板上表面及基板下表面,所述封装基板具有腔室;
第一芯片,设置于所述腔室内,所述第一芯片具有相对设置的第一上表面及第一下表面,所述第一上表面与所述基板上表面位于同侧,且所述第一下表面具有若干第一电极;
第二芯片,设置于所述封装基板的上方,所述第二芯片具有相对设置的第二上表面及第二下表面,所述第二下表面与所述基板上表面面对面设置,且所述第二下表面具有若干第二电极;
若干互连结构,用于导通若干第一电极及若干第二电极,且部分所述互连结构贯穿所述第一芯片而导通第一电极。
2.根据权利要求1所述的堆叠嵌入式封装结构,其特征在于,所述第一上表面与所述基板上表面齐平。
3.根据权利要求1所述的堆叠嵌入式封装结构,其特征在于,所述基板下表面的一侧具有若干外部引脚,所述封装基板具有若干通孔,所述互连结构通过所述通孔而导通所述第一电极、所述第二电极及所述外部引脚。
4.根据权利要求3所述的堆叠嵌入式封装结构,其特征在于,所述互连结构包括金属柱及电镀层结构,所述金属柱连接于所述第二电极的下方,所述电镀层结构包括相互导通的上重布线层及下重布线层,所述上重布线层位于所述封装基板的上方且连接所述金属柱,且所述上重布线层通过所述第一芯片上的孔洞导通所述第一电极,所述下重布线层通过所述通孔导通所述上重布线层,且所述下重布线层延伸至所述封装基板的下方而导通所述第一电极及所述外部引脚。
5.根据权利要求4所述的堆叠嵌入式封装结构,其特征在于,所述下重布线层包括第一下重布线层及第二下重布线层,所述封装结构包括第一绝缘层、第二绝缘层及第三绝缘层,所述第一绝缘层包覆所述基板下表面及所述第一下表面,所述第一下重布线层位于所述第一绝缘层的下方并通过所述第一绝缘层的孔洞及通孔导通所述第一电极及所述上重布线层,所述第二绝缘层包覆所述第一绝缘层及所述第一下重布线层,所述第二下重布线层位于所述第二绝缘层的下方并通过所述第二绝缘层的孔洞导通所述第一下重布线层,所述外部引脚连接所述第二下重布线层,所述第三绝缘层包覆所述第二下重布线层及所述第二绝缘层并暴露出所述外部引脚。
6.根据权利要求4所述的堆叠嵌入式封装结构,其特征在于,所述上重布线层连接所述基板上表面及所述第一上表面,所述封装结构还包括位于所述封装基板远离所述基板下表面的一侧的第一塑封层,所述第一塑封层包覆所述第二芯片的周围区域。
7.根据权利要求1所述的堆叠嵌入式封装结构,其特征在于,所述第一芯片与所述腔室的间隙处设有第二塑封层。
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