[实用新型]一种硅基异质结太阳能电池有效
申请号: | 201821595483.4 | 申请日: | 2018-09-28 |
公开(公告)号: | CN209016075U | 公开(公告)日: | 2019-06-21 |
发明(设计)人: | 董刚强;崔鸽;郁操;李沅民;徐希翔 | 申请(专利权)人: | 君泰创新(北京)科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/072 | 分类号: | H01L31/072;H01L31/0216;H01L31/18 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;黄灿 |
地址: | 100176 北京市大兴区亦*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 透明导电层 硅基异质结 太阳能电池 第二表面 第一表面 依次设置 背场层 钝化层 本征 本实用新型 透明导电膜 第二电极 第一电极 接触电阻 微晶硅层 相背设置 缓冲层 非晶 | ||
1.一种硅基异质结太阳能电池,其特征在于,包括N型单晶硅片,所述N型单晶硅片具有相背设置的第一表面和第二表面,在所述第一表面上由内至外依次设置有第一本征钝化层、N型背场层、第一透明导电层和第一电极,在所述第二表面上由内至外依次设置有第二本征钝化层、P型发射极层、第二透明导电层和第二电极;
其中,在所述第一透明导电层和所述N型背场层之间还设置有透明导电膜缓冲层。
2.根据权利要求1所述的硅基异质结太阳能电池,其特征在于,所述透明导电膜缓冲层包括氧化铟锡缓冲层、掺铝氧化锌AZO缓冲层和掺钨氧化铟IWO缓冲层中的至少一种。
3.根据权利要求2所述的硅基异质结太阳能电池,其特征在于,所述透明导电膜缓冲层为经过快速退火处理所形成的所述掺铝氧化锌AZO缓冲层。
4.根据权利要求2所述的硅基异质结太阳能电池,其特征在于,所述透明导电膜缓冲层为经过快速退火处理或水汽处理所形成的所述氧化铟锡缓冲层。
5.根据权利要求2所述的硅基异质结太阳能电池,其特征在于,所述透明导电膜缓冲层为通过反应等离子体沉积技术沉积所形成的所述掺钨氧化铟IWO缓冲层。
6.根据权利要求1所述的硅基异质结太阳能电池,其特征在于,所述第一电极通过丝网印刷方式设置在所述第一透明导电层上,所述第二电极通过丝网印刷方式设置在所述第二透明导电层上。
7.根据权利要求1-6中任一项所述的硅基异质结太阳能电池,其特征在于,所述第一本征钝化层为第一本征非晶或微晶钝化层,所述N型背场层为N型非晶或微晶层,所述第二本征钝化层为第二本征非晶或微晶钝化层,所述P型发射极层为P型非晶或微晶层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的