[实用新型]减缓内应力的围坝结构

说明书

本实用新型公开一种减缓内应力的围坝结构，包括陶瓷基板，所述陶瓷基板具有上下贯穿的通孔，于该陶瓷基板的正面、反面和通孔中均设置导通的导电线路，所述陶瓷基板正面设有金属围坝，该金属围坝包围于导电线路的外周，所述金属围坝具有外侧壁、顶部、内侧壁，于外侧壁开设凹槽，使所述金属围坝的坝体对应该凹槽的位置变薄。依据力学原理，开槽后金属围坝的应力增大，因此开设凹槽后将作用力的汇集点A分散，避免从A点开始剥离，从而保证了支架的使用寿命。

技术领域

本实用新型涉及LED、激光器件、功率器件等相关半导体器件领域技术，尤其是指一种减缓内应力的围坝结构。

背景技术

对于目前要求气密性封装的光器件来说，通常需要在陶瓷基板上设置金属围坝，利用金属围坝所围构形成的空间可填充封装胶水，从而实现更好的气密性。

如图1所示，在陶瓷基板的制备过程中，金属围坝可以是采用逐层电镀的方式垒高，形成一定的高度。然而，由于陶瓷基板与金属围坝是两种不同的材质，当金属围坝内腔的胶水以及金属围坝自身受热膨胀时，力点集中在A点上，当达到应力的最大值时，易从A点开始在二者之接合面产生剥离（参见图2），造成支架损坏，气密性不良。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型针对现有技术存在之缺失，其主要目的是提供一种减缓内应力的围坝结构，其可以将应力通过开槽分散，不再集中在A点，

从而克服现有技术的不足。

为实现上述目的，本实用新型采用如下之技术方案：

一种减缓内应力的围坝结构，包括陶瓷基板，所述陶瓷基板具有上下贯穿的通孔，于该陶瓷基板的正面、反面和通孔中均设置导通的导电线路，所述陶瓷基板正面设有金属围坝，该金属围坝包围于导电线路的外周，所述金属围坝具有外侧壁、顶部、内侧壁，于外侧壁开设凹槽，使所述金属围坝的坝体对应该凹槽的位置变薄。

作为一种优选方案，所述凹槽水平布设，环设于外侧壁一周，该金属围坝开槽后形成上、中、下三部分，其中上、下部分的坝体宽度相同，中间部分的坝体宽度<上、下部分的坝体宽度。

作为一种优选方案，所述凹槽的槽底是直角或导圆角。

作为一种优选方案，所述金属围坝为铜围坝，金属围坝的高度为0.05mm-1.5mm。

作为一种优选方案，所述金属围坝的内侧壁为竖直壁。

作为一种优选方案，所述金属围坝的内侧壁为斜壁，形成反光斜面。

作为一种优选方案，所述反光斜面的角度a为5 ~90°。

作为一种优选方案，所述属围坝的内侧壁的上端沿开设有台阶。

本实用新型与现有技术相比具有明显的优点和有益效果，具体而言，由上述技术方案可知，其主要是由于在金属围坝的外侧壁开设凹槽，使所述金属围坝的坝体对应该凹槽的位置变薄。依据力学原理，开设凹槽后将作用力的汇集点A分散，避免从A点开始剥离，从而保证了支架的使用寿命。

为更清楚地阐述本实用新型的结构特征和功效，下面结合附图与具体实施例来对本实用新型进行详细说明。

附图说明

图1是传统陶瓷支架的结构示意图。

图2是传统陶瓷支架的金属围坝从A点开始分裂的示意图。

图3是本实用新型之实施例的第一种结构示意图。

图4是本实用新型之实施例的第二种结构示意图。

图5是本实用新型之实施例的第三种结构示意图。

图6是本实用新型之实施例的第四种结构示意图。