[实用新型]一种能用于变频器上的IGBT散热器有效
申请号: | 201821707271.0 | 申请日: | 2018-10-22 |
公开(公告)号: | CN208923100U | 公开(公告)日: | 2019-05-31 |
发明(设计)人: | 曹宇宁;缪爱军;王明仁 | 申请(专利权)人: | 德威(苏州)新能源有限公司 |
主分类号: | H01L23/367 | 分类号: | H01L23/367;H01L23/473;H02M1/00 |
代理公司: | 苏州广正知识产权代理有限公司 32234 | 代理人: | 张汉钦 |
地址: | 215000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 变频器 散热器本体 本实用新型 盖板 出液口 进液口 冷却腔 散热效果 | ||
本实用新型公开了一种能用于变频器上的IGBT散热器,包括散热器本体、盖板、冷却腔、进液口和出液口,所述盖板与所述散热器本体扣合在一起形成冷却腔,所述进液口和所述出液口位于所述散热器本体的下部。通过上述方式,本实用新型的能用于变频器上的IGBT散热器,能够实现对IGBT的快速和实时降温,确保变频器的有效正常运行,结构简单,容易获得,成本低,散热效果好。
技术领域
本发明涉及变频技术领域,特别是涉及一种能用于变频器上的IGBT散热器。
背景技术
IGBT即绝缘栅双极型晶体管,是由双极型三极管BJT和绝缘栅型场效应管MOS组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。IGBT在使用过程中发热量大,造成变频器高温,会影响变频器的使用。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种能用于变频器上的IGBT散热器,使用效果好。
为解决上述技术问题,本发明采用的一个技术方案是:提供一种能用于变频器上的IGBT散热器,包括散热器本体、盖板、冷却腔、进液口和出液口,所述盖板与所述散热器本体扣合在一起形成冷却腔,所述进液口和所述出液口位于所述散热器本体的下部。
在本发明一个较佳实施例中,所述进液口和所述出液口位于所述散热器本体下部的左右两端。
在本发明一个较佳实施例中,所述能用于变频器上的IGBT散热器还包括卡扣,所述卡扣使IGBT夹于所述能用于变频器上的IGBT散热器上。
在本发明一个较佳实施例中,所述卡扣包括夹持部和连接部,所述夹持部包括第一夹持部和第二夹持部,所述第一夹持部位于所述散热器本体侧面,所述第二夹持部位于所述盖板侧面,所述第一夹持部和所述第二夹持部通过所述连接部连接。
在本发明一个较佳实施例中,所述能用于变频器上的IGBT散热器还包括氮化铝基板,所述氮化铝基板铺设于所述散热器本体和/或所述盖板的侧面上。
在本发明一个较佳实施例中,所述能用于变频器上的IGBT散热器还包括导热硅胶,所述导热硅胶填充于IGBT和所述氮化铝基板之间。
在本发明一个较佳实施例中,所述能用于变频器上的IGBT散热器还包括阻流部件,所述阻流部件设置在所述散热器本体的内侧壁上。
在本发明一个较佳实施例中,所述阻流部件等间距且有规律的分布在所述散热器本体的内侧壁上。
在本发明一个较佳实施例中,所述能用于变频器上的IGBT散热器还包括定位销钉,所述定位销钉位于所述散热器本体的下部。
在本发明一个较佳实施例中,所述能用于变频器上的IGBT散热器还包括固定孔,所述固定孔位于所述散热器本体的左右两端。
本发明的有益效果是:本发明的能用于变频器上的IGBT散热器,能够实现对IGBT的快速和实时降温,确保变频器的有效正常运行,结构简单,容易获得,成本低,散热效果好。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它的附图,其中:
图1是本发明的能用于变频器上的IGBT散热器一较佳实施例的结构示意图;
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