[实用新型]一种RTA退火托盘有效
| 申请号： | 201821863432.5 | 申请日： | 2018-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN209029347U | 公开（公告）日： | 2019-06-25 |
| 发明（设计）人： | 白继锋;赵敏博;陈杏;王向武;张银桥;汪洋 | 申请（专利权）人： | 南昌凯迅光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673;H01L21/324;H01L21/477 |
| 代理公司： | 南昌大牛专利代理事务所(普通合伙) 36135 | 代理人： | 喻莎 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市新*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 退火 托盘本体 托盘 加强筋 上表面 本实用新型 托盘槽 温场 半导体发光二极管芯片 传统托盘 电压异常 光电性能 内侧位置 使用寿命 退火工艺 芯片边缘 均匀性 牢固性 外侧边 位置处 良率 外围 制造 保证 | ||
【权利要求书】：
1.一种RTA退火托盘，包括托盘本体(1)，其特征在于，所述托盘本体(1)的上表面外侧边安装有第一加强筋(2)，且托盘本体(1)的上表面位于第一加强筋(2)的内侧位置处安装有用于放置样品的托盘槽体(3)，所述托盘本体(1)的上表面靠近托盘槽体(3)的一侧位置处安装有第二加强筋(4)。
2.根据权利要求1所述的一种RTA退火托盘，其特征在于，所述托盘本体(1)为一种导热性好的SiC材质的构件，且托盘本体(1)的厚度为2-5mm。
3.根据权利要求1所述的一种RTA退火托盘，其特征在于，所述托盘槽体(3)的一侧连接有槽体连接件(5)，且托盘槽体(3)通过槽体连接件(5)相互连接成一体。
4.根据权利要求1所述的一种RTA退火托盘，其特征在于，所述托盘槽体(3)共设置有四个，且四个托盘槽体(3)呈矩形分布在托盘本体(1)的上表面，所述托盘槽体(3)为一种圆形结构。
5.根据权利要求3所述的一种RTA退火托盘，其特征在于，所述槽体连接件(5)为一种石英材质的构件。
6.根据权利要求1所述的一种RTA退火托盘，其特征在于，所述第二加强筋(4)共设置有两个，且两个第二加强筋(4)呈十字形分布在托盘本体(1)的上表面，所述第一加强筋(2)与托盘本体(1)的形状相同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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