[实用新型]发光二极管

权利要求书

1.一种发光二极管，其特征在于，包括：

衬底(10)，具有第一表面(110)以及与所述第一表面(110)相对设置的第二表面(120)；

应力释放层(20)，设置于所述衬底(10)的所述第二表面(120)；

第一P型半导体层(30)，设置于远离所述衬底(10)的所述应力释放层(20)表面；

第一发光层(40)，设置于远离所述应力释放层(20)的所述第一P型半导体层(30)表面；

第二P型半导体层(50)，设置于远离所述第一P型半导体层(30)的所述第一发光层(40)表面；

第二发光层(60)，设置于远离所述第一发光层(40)的所述第二P型半导体层(50)表面；

N型半导体层(70)，设置于远离所述第二P型半导体层(50)的所述第二发光层(60)表面；

第一电极(80)，设置于远离所述第二发光层(60)的所述N型半导体层(70)表面；

第一孔(310)，开设于所述衬底(10)的所述第一表面(110)，且贯穿至所述第一P型半导体层(30)；

至少一个第二孔(510)，开设于所述衬底(10)的所述第一表面(110)，且贯穿至所述第二P型半导体层(50)；

第一透明导电层(320)，设置于所述第一孔(310)中，且所述第一透明导电层(320)设置于所述第一P型半导体层(30)；

第二透明导电层(520)，设置于所述第二孔(510)中，且所述第二透明导电层(520)设置于所述第二P型半导体层(50)；

第二电极(90)，设置于所述衬底(10)的所述第一表面(110)，所述第二电极(90)设置于所述第一孔(310)内，且所述第二电极(90)与所述第一透明导电层(320)接触，用以实现所述第二电极(90)与所述第一P型半导体层(30)电连接，所述第二电极(90)设置于所述第二孔(510)内，且所述第二电极(90)与所述第二透明导电层(520)接触，用以实现所述第二电极(90)与所述第二P型半导体层(50)电连接。

2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一孔(310)与所述第二孔(510)间隔开设于所述衬底(10)的所述第一表面(110)。

3.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一透明导电层(320)的厚度小于所述第一P型半导体层(30)的厚度。

4.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一孔(310)贯穿所述衬底(10)与所述应力释放层(20)至所述第一P型半导体层(30)。

5.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第二孔(510)贯穿所述衬底(10)、所述应力释放层(20)、所述第一P型半导体层(30)与所述第一发光层(40)至所述第二P型半导体层(50)。

6.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述衬底(10)为蓝宝石衬底、硅衬底或碳化硅衬底等。

7.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第二透明导电层(520)的厚度小于所述第二P型半导体层(50)的厚度。

8.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一发光层(40)为量子阱或氮化铟镓多重量子阱。

9.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述应力释放层(20)为超晶格结构。

10.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第二发光层(60)为量子阱或氮化铟镓多重量子阱。