[实用新型]发光二极管

说明书

本申请提供一种发光二极管，通过在所述衬底上实现整面式的背面P型层金属电极可以更好的实现电流的扩散，并且可以完全无遮掩正面发光的特性。同时，通过所述第一P型半导体层与所述第二P型半导体层的双层P型层，以及所述第一发光层与所述第二发光层的双层发光层的结构，可以把溢流的电子再做进一步的利用来提升发光效率。从而，在制造所述发光二极管时可以降低制造成本，提升所述发光二极管的发光效率，能够实现优良的电流扩散分布及较佳的散热效果。

技术领域

本申请涉及光电技术领域，特别是涉及一种发光二极管。

背景技术

发光二极管(Light-Emitting Diode，LED)是一种利用半导体的P-N结电致发光原理制成的一种半导体发光器件。LED具有无污染、高亮度、功耗小、寿命长、工作电压低、易小型化等优点，随着研究的不断进展应用领域也越来越广。

传统LED一般是利用光刻、刻蚀等方式在外延层同一侧上分别镀上N型以及P型的金属电极，导致正面镀N、P型金属电极对于发光二极体的电流扩散及遮光有负向的影响，电极会将发光二极管从活性区发出之光遮挡，从而降低了发光二极管的出光，影响了出光的效率。同时，由于n侧提供的电子其迁移率较p侧的空穴来的大，使得电子会溢流到P层导致发光效率降低。同时，传统的LED制作过程中由于光刻、刻蚀等制程会对产品良率降低，使得制造成本提升。

实用新型内容

基于此，有必要针对传统LED的发光效率低、成本高的问题，提供一种发光效率高、成本低的发光二极管。

本申请提供一种发光二极管包括衬底、应力释放层、第一P型半导体层、第一发光层、第二P型半导体层、第二发光层、N型半导体层、第一电极、第一孔、至少一个第二孔、第一透明导电层、第二透明导电层以及第二电极。所述衬底具有第一表面以及与所述第一表面相对设置的第二表面。所述应力释放层设置于所述衬底的所述第二表面。所述第一P型半导体层设置于远离所述衬底的所述应力释放层表面。所述第一发光层设置于远离所述应力释放层的所述第一P型半导体层表面。所述第二P型半导体层设置于远离所述第一P型半导体层的所述第一发光层表面。

所述第二发光层设置于远离所述第一发光层的所述第二P型半导体层表面。所述N型半导体层设置于远离所述第二P型半导体层的所述第二发光层表面。所述第一电极设置于远离所述第二发光层的所述N型半导体层表面。所述第一孔开设于所述衬底的所述第一表面，且贯穿至所述第一P型半导体层。至少一个所述第二孔开设于所述衬底的所述第一表面，且贯穿至所述第二P型半导体层。所述第一透明导电层设置于所述第一孔中，且所述第一透明导电层设置于所述第一P型半导体层。

所述第二透明导电层设置于所述第二孔中，且所述第二透明导电层设置于所述第二P型半导体层。所述第二电极设置于所述衬底的所述第一表面，所述第二电极设置于所述第一孔内，且所述第二电极与所述第一透明导电层接触，用以实现所述第二电极与所述第一P型半导体层电连接，所述第二电极设置于所述第二孔内，且所述第二电极与所述第二透明导电层接触，用以实现所述第二电极与所述第二P型半导体层电连接。

在其中一个实施例中，所述第一孔与所述第二孔间隔开设于所述衬底的所述第一表面。

在其中一个实施例中，所述第一透明导电层的厚度小于所述第一P型半导体层的厚度，所述第二透明导电层的厚度小于所述第二P型半导体层的厚度。

在其中一个实施例中，所述第一孔贯穿所述衬底与所述应力释放层至所述第一P型半导体层。

在其中一个实施例中，所述第二孔贯穿所述衬底、所述应力释放层、所述第一P型半导体层与所述第一发光层至所述第二P型半导体层。

在其中一个实施例中，所述衬底为蓝宝石衬底、硅衬底或碳化硅衬底等。

在其中一个实施例中，所述第一发光层与所述第二发光层为磷化铟镓铝、氮化铝镓、铟氮化镓、氮化镓及磷化铟镓铝所构成材料组群中的至少一种材料。