[实用新型]一种防贴片制绒花篮装置有效
申请号: | 201822192230.9 | 申请日: | 2018-12-25 |
公开(公告)号: | CN209216938U | 公开(公告)日: | 2019-08-06 |
发明(设计)人: | 赵迎财;金井升;张昕宇 | 申请(专利权)人: | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L31/18 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 罗满 |
地址: | 314416 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 花篮 凸起 压杆 制绒 花篮主体 底杆 硅片 顶部设置 侧面 卡齿 贴片 本实用新型 间距设置 平行设置 竖直侧面 制绒硅片 均匀性 内壁 贴合 平行 | ||
本实用新型公开了一种防贴片制绒花篮装置,包括花篮底杆设置在花篮主体的内底部,花篮压杆设置在花篮主体的顶部,花篮压杆和花篮底杆平行设置,花篮压杆的底部设置有第一曲面凸起,花篮底杆的顶部设置有第二曲面凸起,还包括设置在花篮主体的竖直侧面内壁且与花篮压杆平行的花篮旁杆,花篮旁杆面向花篮主体内侧的侧面间隔预定间距设置有卡齿,相邻卡齿之间用于放置制绒硅片,硅片的顶部位于相邻第一曲面凸起的侧面之间,底部位于相邻第二曲面凸起的侧面之间。通过在花篮压杆底部设置第一曲面凸起、花篮底杆顶部设置第二曲面凸起,并通过花篮旁杆的卡齿对硅片进行固定,使得在制绒过程中,相邻硅片之间不会贴合,提高了制绒均匀性和制绒质量。
技术领域
本实用新型涉及硅片制绒技术领域,特别是涉及一种防贴片制绒花篮装置。
背景技术
由于光伏发电具有污染小几乎不受地域限制的特点,而且太阳能为可持续能源几乎无穷无尽,不会向像传统额化石能源一样出现化境污染以及温室效应等环境问题以及资源枯竭的问题,使得光伏发电的成本在降低的同时获得了大规模的发展。
高品质、高效率的硅片是能够提高太阳能电池运行可靠性以及提高发电效率的途径之一。其中,对硅片进行制绒,提高其光吸收效率,是提高其光电转换效率,提高发电效率的途径之一。
硅片制绒领域起初是干法制绒,如等离子体制绒,激光制绒,但是由于这些技术成本过高,产业化遇到的问题较多,使得湿法制绒的研究获得广泛关注,并很快的产业化。由于硅片切割方式的革新,湿法制绒的研究也进一步加深。目前用于金刚线切片的湿法制绒包括多晶的黑硅湿法制绒,单晶的金字塔或倒金字塔制绒。湿法制绒过程中由于反应液浓度不同,添加剂的使用,致使制绒反应的激烈程度不同,从而提高了对硬件的要求。
制绒过程中的花篮装置是制绒硅片接触的最紧密的硬件,对于不同制绒反应程度,花篮装置设计的不合理会造成硅片表面制绒不均匀,不仅会影响后续电池片的外观,也会极大的降低电池片的效率。
目前的花篮装置仅能满足某种制绒条件,难以解决不同反应程度下,硅片制绒不均的问题,随着湿法制绒技术的革新,这些问题将会越来越多。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种防贴片制绒花篮装置,解决硅片制绒不均匀的问题,适用性广,成本低。
为解决上述技术问题,本实用新型实施例提供了一种防贴片制绒花篮装置,包括花篮压杆、花篮底杆、花篮主体,所述花篮底杆设置在所述花篮主体的内底部,所述花篮压杆设置在所述花篮主体的顶部,所述花篮压杆和所述花篮底杆平行设置,所述花篮压杆的底部设置有第一曲面凸起,所述花篮底杆的顶部设置有第二曲面凸起,还包括设置在所述花篮主体的竖直侧面内壁且与所述花篮压杆平行的花篮旁杆,所述花篮旁杆面向所述花篮主体内侧的侧面间隔预定间距设置有卡齿,相邻所述卡齿之间用于放置制绒硅片,所述硅片的顶部位于相邻所述第一曲面凸起的侧面之间,底部位于相邻所述第二曲面凸起的侧面之间。
其中,所述第一曲面凸起、所述第二曲面凸起、所述卡齿的形状为半圆形或弓形。
其中,所述第一曲面凸起与所述第二曲面凸起的形状相同。
其中,多个相邻所述第一曲面凸起为连续第一曲面凸起,和/或多个相邻所述第二曲面凸起为连续第二曲面凸起。
其中,所述第一曲面凸起与所述第二曲面凸起的尺寸相等。
其中,所述第一曲面凸起的宽度为所述硅片厚度的90%~120%。
其中,相邻所述花篮旁杆的卡齿的间距为制绒硅片的厚度的5倍~10倍。
其中,所述花篮底杆的数量大于所述花篮压杆的数量。
其中,所述花篮压杆在竖直方向上在所述内底部的投影与相邻两条所述花篮底杆的间距相等。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造