[实用新型]LED芯片有效
| 申请号： | 201822211927.6 | 申请日： | 2018-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN209357749U | 公开（公告）日： | 2019-09-06 |
| 发明（设计）人： | 刘珊珊;廖汉忠;陈顺利;丁逸圣;宋林青 | 申请（专利权）人： | 大连德豪光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 司佩杰;李双皓 |
| 地址： | 116051 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金手指 半导体层 工作电压 重叠区域 发光层 俯视 绝缘层 光电转换效率 负效应 电流传导层 表面生长 电流传导 上表面 沉积 衬底 刻蚀 吸光 申请 | ||
1.一种LED芯片，其特征在于，包括：自下而上设置的衬底、N半导体层、发光层、P半导体层，以及经刻蚀所述P半导体层、所述发光层和所述N半导体层形成的与所述N半导体层接触的N台阶，所述N台阶的表面生长有包含第一金手指的N电极；
所述N电极的第一金手指上表面自下而上沉积有第一绝缘层、电流传导层以及包含第二金手指的P电极，所述第一金手指与所述第二金手指在俯视方向上存在重叠区域。
2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述N台阶非连续设置，
所述LED芯片还包括：第二绝缘层；
所述第一金手指的部分区域与所述N半导体层接触，所述第二绝缘层位于所述第一金手指的其余区域与所述P半导体层之间。
3.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述N台阶等间隔设置。
4.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述重叠区域位于所述LED芯片的中心位置。
5.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述第二绝缘层的厚度范围为[2000°A，1um]。
6.根据权利要求5所述的LED芯片，其特征在于，所述第二绝缘层的厚度为5000°A。
7.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第一绝缘层为8L膜堆堆叠结构层。
8.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层均为SiO2层、Si3N4层、以及SiO2和TiO2复合层中的任一种。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的LED芯片，其特征在于，所述LED 芯片的长边与短边之比大于2。
10.根据权利要求1至8中任一项所述的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片为背光芯片。
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