[实用新型]LED芯片

说明书

本申请提供一种LED芯片。该LED芯片包括：自下而上设置的衬底、N半导体层、发光层、P半导体层，以及经刻蚀P半导体层、发光层和N半导体层形成的与N半导体层接触的N台阶，N台阶的表面生长有包含第一金手指的N电极；N电极的第一金手指上表面自下而上沉积有第一绝缘层、电流传导层以及包含第二金手指的P电极，第一金手指与第二金手指在俯视方向上存在重叠区域。由于对LED芯片的N电极增加了电流传导的金手指，因此，降低了LED芯片的工作电压；同时，由于N电极的第一金手指和P电极的第二金手指在LED芯片的俯视方向上存在重叠区域，因此，相比传统技术，并没有增加吸光的负效应，进一步降低了LED芯片的工作电压，从而提高了LED芯片的光电转换效率。

技术领域

本申请涉及半导体元件领域，特别是涉及一种LED芯片。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode，简称：LED)芯片具有环保、亮度高、能耗低、寿命长、工作电压低等特点，其作为背光源已被广泛应用于手机、电视以及电脑等电子产品的显示器上等。由于电子产品的能耗需求越来越低，因此，要求安装在电子产品上的LED芯片具有更高的光电转换效率。通常，可以通过降低LED芯片的工作电压来提高LED芯片的光电转换效率。

传统技术中，采用增加电流传导层的厚度来增加电流传导的效率，或者制备枝杈状的金手指进行电流扩展，从而降低LED芯片的工作电压。

但是，由于电流传导层和金手指对LED芯片产生的光存在吸光效应，且吸光效应严重，从而导致LED芯片的光电转换效率较低。

实用新型内容

基于此，有必要针对传统技术中的LED芯片的光电转换效率较低的技术问题，提供一种LED芯片。

一种LED芯片，包括：自下而上设置的衬底、N半导体层、发光层、P半导体层，以及经刻蚀所述P半导体层、所述发光层和所述N半导体层形成的与所述N半导体层接触的N台阶，所述N台阶的表面生长有包含第一金手指的N电极；

所述N电极的第一金手指上表面自下而上沉积有第一绝缘层、电流传导层以及包含第二金手指的P电极，所述第一金手指与所述第二金手指在俯视方向上存在重叠区域。

本实施例提供的LED芯片，由于对LED芯片的N电极增加了电流传导的金手指，因此，进一步降低了LED芯片的工作电压；同时，由于N电极扩展的第一金手指和P电极扩展的第二金手指在LED芯片的俯视方向存在重叠区域，因此，相比传统技术，并没有增加吸光的负效应。这样，便进一步降低了LED芯片的工作电压，从而提高了LED芯片的光电转换效率。

在其中一个实施例中，所述N台阶非连续设置，所述LED芯片还包括：第二绝缘层；

所述第一金手指的部分区域与所述N半导体层接触，所述第二绝缘层位于所述第一金手指的其余区域与所述P型半导体层之间。

在其中一个实施例中，所述N台阶等间隔设置。

在其中一个实施例中，所述重叠区域位于所述LED芯片的中心位置。

本申请提供的LED芯片，由于N电极的第一金手指与P电极的第二金手指在俯视方向上的重叠区域位于LED芯片的中心位置，因此，在LED芯片的长宽比越来越大时，可以有效避免N电极的第一金手指和P电极的第二金手指出现损伤的问题，从而提高LED芯片的优良率。

在其中一个实施例中，所述第二绝缘层的厚度范围为

在其中一个实施例中，所述第二绝缘层的厚度为

在其中一个实施例中，所述第一绝缘层为8L膜堆堆叠结构层。