[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：

第一工序，从半导体基板的一个主面以离子方式注入杂质而形成第一半导体区；

第二工序，从所述半导体基板的一个主面以离子方式注入杂质而在比所述第一半导体区浅的区域形成杂质浓度比所述第一半导体区的杂质浓度高的第二半导体区；

第三工序，从所述半导体基板的一个主面照射第一激光而使所述第二半导体区活化，并且将所述半导体基板的一个主面的表面层熔融而使其再结晶化；以及

第四工序，在所述第三工序之后，从所述半导体基板的一个主面照射波长比所述第一激光的波长长的第二激光而使所述第一半导体区活化，

在所述第三工序中，将所述第一激光的能量设为1J/cm²以上且2J/cm²以下，并将所述第一激光的脉冲宽度设为50ns以上且300ns以下，

在所述第四工序中，将所述第二激光的能量设为4J/cm²以上且8J/cm²以下，并使所述第二激光的脉冲宽度比所述第一激光的脉冲宽度长，且设为10μs以上。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述第三工序中，将通过所述第一激光使杂质活化时的活化深度设为小于1μm。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述第四工序中，将通过所述第二激光使杂质活化时的活化深度设为1μm以上且4μm以下。

4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第一激光的波长为500nm以上且550nm以下。

5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第二激光的波长为800nm以上。

6.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述半导体装置的制造方法还包括：

第五工序，在第一导电型的所述半导体基板的另一个主面侧形成预定的元件结构；以及

第六工序，在所述第三工序之前，从所述半导体基板的一个主面以离子方式注入第二导电型杂质，在比所述第一半导体区浅的区域形成第二导电型的第三半导体区，该第三半导体区在与所述半导体基板的一个主面平行的方向上与所述第二半导体区并列地配置，

在所述第一工序中，从所述半导体基板的一个主面以离子方式注入第一导电型杂质而形成第一导电型的所述第一半导体区，

在所述第二工序中，从所述半导体基板的一个主面以离子方式注入第一导电型杂质而形成第一导电型的所述第二半导体区，

在所述第三工序中，照射所述第一激光而使所述第二半导体区和所述第三半导体区活化。

7.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述第一工序中，将离子注入的剂量设为5×10¹¹/cm²以上且1×10¹⁴/cm²以下。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述第二工序中，将离子注入的剂量设为1×10¹⁴/cm²以上且1×10¹⁶/cm²以下。

9.根据权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，在所述第六工序中，将离子注入的剂量设为1×10¹²/cm²以上且1×10¹⁵/cm²以下。