[发明专利]功率模块、反向导通IGBT及驱动电路

权利要求书

1.一种功率模块，其特征在于，具备：

功率半导体芯片，其在同一芯片内形成有IGBT和续流二极管；以及

驱动电路，其与所述功率半导体芯片连接，对所述IGBT进行导通/关断驱动，

所述功率模块是将所述功率半导体芯片和所述驱动电路封装而成的功率模块，

所述功率模块还具备串联配置在所述IGBT的发射极与所述驱动电路的接地之间的电容器和开关元件，

在所述驱动电路使所述IGBT进行关断开关动作的情况下，所述开关元件使所述发射极与所述接地之间导通，抑制在所述续流二极管中流通的正向电流的变化。

2.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述开关元件为MOSFET。

3.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述IGBT为采用沟槽栅结构的纵向型的IGBT。

4.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述电容器形成在所述驱动电路内。

5.根据权利要求1所述的功率模块，其特征在于，所述电容器形成在所述功率半导体芯片内。

6.一种反向导通IGBT，其特征在于，在同一芯片内形成有IGBT和续流二极管，所述IGBT和所述续流二极管均具有沟槽栅结构，

所述反向导通IGBT与驱动电路连接，所述驱动电路具备在使所述反向导通IGBT进行关断开关动作的情况下使所述反向导通IGBT的发射极与接地之间导通的开关元件，

所述反向导通IGBT还具备电容器，所述电容器串联配置在所述发射极与所述开关元件之间。

7.一种驱动电路，其特征在于，是对在同一芯片内形成有IGBT和续流二极管的功率半导体芯片进行导通/关断驱动的驱动电路，所述IGBT和所述续流二极管均具有沟槽栅结构，所述驱动电路具备：

开关元件，其在使所述IGBT进行关断开关动作的情况下使所述IGBT的发射极与接地之间导通；以及

电容器，其串联配置在所述发射极与所述开关元件之间。