[发明专利]摄像装置和X射线摄像装置有效
申请号: | 201880016980.0 | 申请日: | 2018-03-15 |
公开(公告)号: | CN110392927B | 公开(公告)日: | 2023-04-18 |
发明(设计)人: | 泷田力也;中村涉;中野文树;富安一秀;中泽淳;森胁弘幸 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L27/144;H01L29/786;H04N23/30;H04N25/70 |
代理公司: | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人: | 权鲜枝;刘宁军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 摄像 装置 射线 | ||
1.一种摄像装置,其特征在于,具备:
光电转换部,其将入射的光转换为电荷;以及
检测部,其检测由上述光电转换部产生的上述电荷,
上述光电转换部具备按矩阵状排列的多个光电二极管,
上述检测部具备与上述多个光电二极管对应设置并按矩阵状排列的多个薄膜晶体管,
上述多个光电二极管具备下部电极、半导体层以及上部电极,
在上述半导体层的周缘部,在上述下部电极的厚度方向的至少一部分与上述半导体层之间设置有绝缘层,
上述绝缘层的端部具有该绝缘层的下表面与侧面形成锐角的锥形形状,
上述下部电极具有第1电极层与第2电极层的两层结构,
在上述半导体层的周缘部,在上述第1电极层与上述第2电极层之间设置有上述绝缘层,
上述半导体层的下表面是与上述第2电极层接触的。
2.根据权利要求1所述的摄像装置,
上述绝缘层的下表面与侧面形成的锥形角度θ满足θ≤30°。
3.根据权利要求1所述的摄像装置,
上述绝缘层是氧化硅层。
4.根据权利要求1所述的摄像装置,
上述薄膜晶体管具备包括In-Ga-Zn-O系氧化物半导体的半导体层。
5.一种X射线摄像装置,其特征在于,具备:
X射线转换部,其在被照射X射线时根据上述X射线的强度产生光;以及
权利要求1至权利要求4中的任意一项所述的摄像装置,
上述光电转换部将从上述X射线转换部射出的光转换为上述电荷。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的