[发明专利]摄像装置和X射线摄像装置

说明书

本发明的一个方面的摄像装置具备：光电转换部，其将入射的光转换为电荷；以及检测部，其检测由光电转换部产生的电荷，光电转换部具备按矩阵状排列的多个光电二极管，检测部具备与多个光电二极管对应设置并按矩阵状排列的多个TFT，光电二极管具备下部电极、半导体层以及上部电极，在半导体层的周缘部，在下部电极的厚度方向的至少一部分与半导体层之间设置有绝缘层，绝缘层的端部具有该绝缘层的下表面与侧面形成锐角的锥形形状。

技术领域

本发明的若干方面涉及摄像装置和X射线摄像装置。

本申请关于2017年3月16日在日本提交申请的特愿2017-051166号主张优先权，并在此引用其内容。

背景技术

例如在医疗用诊断装置的领域中以往以来已知X射线摄像装置。在X射线摄像装置中有直接转换方式和间接转换方式这2个方式。其中，在间接转换方式的X射线摄像装置中，在X射线转换层中将被照射的X射线转换为可见光，使用光电二极管和开关元件将该可见光检测为图像。

在下述的专利文献1中，公开了具备按矩阵状排列的多个光检测元件的光电转换装置。光检测元件包括光电二极管和薄膜晶体管。以下，在本说明书中，将薄膜晶体管(ThinFilm Transistor)缩写为TFT。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：特开2015-79840号公报

发明内容

发明要解决的问题

在专利文献1的光电转换装置中，为了抑制光电二极管的漏电流，采用了在光电二极管的下部电极上设置具有开口部的绝缘层并在开口部中使光电二极管的半导体层(接触层)与下部电极接触的构成。然而，在该构成中，漏电流对策仍不充分，要求进一步降低光电二极管的漏电流的对策。

本发明的一个方面是为了解决上述问题而完成的，其目的之一在于通过降低光电二极管的漏电流而提供一种拍摄性能优异的摄像装置。另外，本发明的一个方面的目的之一在于提供具备上述的摄像装置的X射线摄像装置。

用于解决问题的方案

为了达到上述的目的，本发明的一个方面的摄像装置具备：光电转换部，其将入射的光转换为电荷；以及检测部，其检测由上述光电转换部产生的上述电荷，上述光电转换部具备按矩阵状排列的多个光电二极管，上述检测部具备与上述多个光电二极管对应设置并按矩阵状排列的多个薄膜晶体管，上述光电二极管具备下部电极、半导体层以及上部电极，在上述半导体层的周缘部，在上述下部电极的厚度方向的至少一部分与上述半导体层之间设置有绝缘层，上述绝缘层的端部具有该绝缘层的下表面与侧面形成锐角的锥形形状。

在本发明的一个方面的摄像装置中也可以是，上述绝缘层的下表面与侧面形成的锥形角度θ满足θ≤30°。

在本发明的一个方面的摄像装置中也可以是，上述绝缘层是氧化硅层。

在本发明的一个方面的摄像装置中也可以是，上述绝缘层具有氮化硅层与氧化硅层的两层结构，上述氮化硅层设置于上述下部电极与上述氧化硅层之间。

在本发明的一个方面的摄像装置中也可以是，上述下部电极具有第1电极层与第2电极层的两层结构，在上述半导体层的周缘部，在上述第1电极层与上述第2电极层之间设置有绝缘层，上述半导体层的下表面是与上述第2电极层接触的。

在本发明的一个方面的摄像装置中也可以是，上述薄膜晶体管具备包括In-Ga-Zn-O系氧化物半导体的半导体层。