[发明专利]基板层叠体及基板层叠体的制造方法

权利要求书

1.一种基板层叠体，其依次层叠有第1基板、粘接层以及第2基板，

所述粘接层包含化合物(A)与交联剂(B)的反应产物，所述化合物(A)具有包含伯氮原子和仲氮原子中的至少一个的阳离子性官能团，且重均分子量为90以上40万以下，所述交联剂(B)在分子内具有3个以上-C(＝O)OX基，其中，X为氢原子或碳原子数1以上6以下的烷基，所述3个以上-C(＝O)OX基中，至少1个X为碳原子数1以上6以下的烷基，所述3个以上-C(＝O)OX基中，1个以上6个以下为-C(＝O)OH基，且重均分子量为200以上600以下，

所述化合物(A)包含选自由重均分子量1万以上40万以下的脂肪族胺以及具有硅氧烷键即Si-O键和氨基的重均分子量130以上10000以下的化合物所组成的组中的至少1种。

2.根据权利要求1所述的基板层叠体，所述粘接层的厚度为0.1nm～5000nm。

3.根据权利要求1或2所述的基板层叠体，拉伸接合强度为5MPa以上。

4.根据权利要求1或2所述的基板层叠体，所述交联剂(B)在分子内具有环结构。

5.根据权利要求4所述的基板层叠体，所述交联剂(B)中的所述环结构为具有2个以上-C(＝O)OX基的环结构。

6.根据权利要求5所述的基板层叠体，所述环结构为苯环和萘环中的至少一者。

7.根据权利要求1或2所述的基板层叠体，所述具有硅氧烷键即Si-O键和氨基的重均分子量130以上10000以下的化合物中，Si元素与键合于Si元素的非交联性基团的摩尔比满足非交联性基团/Si＜2的关系。

8.根据权利要求1或2所述的基板层叠体，所述反应产物具有酰胺键和酰亚胺键中的至少一者。

9.根据权利要求1或2所述的基板层叠体，减压下的释气的压力成为2×10^-6Pa的温度为400℃以上。

10.根据权利要求1或2所述的基板层叠体，所述第1基板和所述第2基板中的至少一者在所述粘接层侧的面具备电极。

11.根据权利要求1或2所述的基板层叠体，所述第1基板和所述第2基板中的至少一者包含选自由Si、Al、Ti、Zr、Hf、Fe、Ni、Cu、Ag、Au、Ga、Ge、Sn、Pd、As、Pt、Mg、In、Ta和Nb所组成的组中的至少1种元素。

12.根据权利要求11所述的基板层叠体，所述第1基板和所述第2基板中的至少一者为包含选自由Si、Ga、Ge和As所组成的组中的至少1种元素的半导体基板。

13.一种基板层叠体的制造方法，其具有下述工序：

第1工序，在第1基板上形成包含化合物(A)的膜，所述化合物(A)具有包含伯氮原子和仲氮原子中的至少一个的阳离子性官能团，且重均分子量为90以上40万以下，

第2工序，在所述膜上赋予交联剂(B)，所述交联剂(B)在分子内具有3个以上-C(＝O)OX基，其中，X为氢原子或碳原子数1以上6以下的烷基，所述3个以上-C(＝O)OX基中，至少1个X为碳原子数1以上6以下的烷基，所述3个以上-C(＝O)OX基中，1个以上6个以下为-C(＝O)OH基，且重均分子量为200以上600以下，

第3工序，在形成有包含所述化合物(A)和所述交联剂(B)的膜的面上层叠第2基板，

加热工序，将包含所述化合物(A)和所述交联剂(B)的膜加热至70℃～450℃，形成包含所述化合物(A)与所述交联剂(B)的反应产物的粘接层，

所述化合物(A)包含选自由重均分子量1万以上40万以下的脂肪族胺以及具有硅氧烷键即Si-O键和氨基的重均分子量130以上10000以下的化合物所组成的组中的至少1种。