[发明专利]基板层叠体及基板层叠体的制造方法

说明书

一种基板层叠体，其依次层叠有第1基板、粘接层以及第2基板，所述粘接层包含化合物(A)与交联剂(B)的反应产物，所述化合物(A)具有包含伯氮原子和仲氮原子中的至少一个的阳离子性官能团，且重均分子量为90以上40万以下，所述交联剂(B)在分子内具有3个以上‑C(＝O)OX基(X为氢原子或碳原子数1以上6以下的烷基)，3个以上‑C(＝O)OX基中，1个以上6个以下为‑C(＝O)OH基，且重均分子量为200以上600以下，上述化合物(A)包含选自由重均分子量1万以上40万以下的脂肪族胺、以及具有硅氧烷键(Si‑O键)和氨基的重均分子量130以上10000以下的化合物所组成的组中的至少1种。

技术领域

本发明涉及基板层叠体以及基板层叠体的制造方法。

背景技术

随着电子设备的小型轻量化、高性能化的进行，要求半导体芯片等的高集成化。然而，电路的微细化难以充分地应对该要求。因此，近年来，提出了通过将多张半导体基板(晶片)、半导体芯片等纵向层叠，制成多层的三维结构，从而高集成化的方法。作为将半导体基板(晶片)、半导体芯片等(以下，有时称为“半导体基板等”)进行层叠的方法，提出了基板彼此的直接接合(熔融粘合(fusion bonding))方法、使用粘接剂的方法等(例如，参照专利文献1～3、非专利文献1～2)。

专利文献

专利文献1：日本特开平4-132258号公报

专利文献2：日本特开2010-226060号公报

专利文献3：日本特开2016-47895号公报

非专利文献

非专利文献1A.Bayrashev,B.Ziaie,Sensors and Actuators A 103(2003)16-22.

非专利文献2Q.Y.Tong,U.M.Gosele,Advanced Material 11,No.17(1999)1409-1425.

发明内容

发明所要解决的课题

熔融粘合时，为了使半导体基板彼此间不产生意外的剥离，因此在400℃～600℃的温度将半导体基板彼此接合。然而，在半导体基板具有半导体电路的情况下，从抑制热对半导体电路的破坏方面出发，要求在400℃以下的低温下的接合方法。另一方面，已知如果使用粘接剂，与利用例如硅烷醇接合进行接合的情况不同，能够在400℃以下的温度下将半导体基板彼此进行接合。

然而，如果使用以往的粘接剂将半导体基板彼此进行接合，则需要超过10μm的厚度，与熔融粘合相比有时产生基板层叠体的厚度增大这样的问题。进一步，由于粘接剂所包含的残留溶剂、通过交联反应而生成的气体等引起空隙产生等，因而粘接面积易于变小，半导体基板彼此易于发生意外的剥离。

本发明的一个实施方式是鉴于上述问题而提出的，其目的在于提供粘接层薄且抑制了意外的剥离的基板层叠体，以及提供该基板层叠体的制造方法。

用于解决课题的方法

用于解决上述课题的具体的方法如下所述。

＜1＞一种基板层叠体，其依次层叠有第1基板、粘接层以及第2基板，所述粘接层包含化合物(A)与交联剂(B)的反应产物，所述化合物(A)具有包含伯氮原子和仲氮原子中的至少一个的阳离子性官能团，且重均分子量为90以上40万以下，所述交联剂(B)在分子内具有3个以上-C(＝O)OX基(X为氢原子或碳原子数1以上6以下的烷基)，3个以上-C(＝O)OX基中，1个以上6个以下为-C(＝O)OH基，且重均分子量为200以上600以下，上述化合物(A)包含选自由重均分子量1万以上40万以下的脂肪族胺以及具有硅氧烷键(Si-O键)和氨基的重均分子量130以上10000以下的化合物所组成的组中的至少1种。