[发明专利]包含用于衰减寄生波层的SAW谐振器

权利要求书

1.一种表面声波SAW谐振器(100)，至少包括：

-基底(102)；

-压电材料层(108)，其布置在所述基底(102)上；

-第一衰减层(112)和/或第二衰减层(114)，所述第一衰减层(112)布置在所述基底(102)与所述压电材料层(108)之间，当所述基底(102)至少包括单独的两个层(104、106)时，所述第二衰减层(114)布置在所述基底(102)的所述两个层(104、106)之间；以及

其中，至少一个衰减层(112、114)能够扩散或者吸收至少一部分寄生声波，并且包括多孔硅和/或多晶硅，在所述至少一个衰减层(112、114)中布置被掺杂的区域，所述区域使得所述至少一个衰减层(112、114)是异质的。

2.根据权利要求1所述的SAW谐振器(100)，其中，所述压电材料包括LTO和/或LNO和/或石英和/或钽酸镧镓和/或硅酸镧镓和/或铌酸镓镧。

3.根据权利要求1或2中的一项所述的SAW谐振器(100)，其中，所述区域被掺杂而不同于所述第一衰减层(112)和/或所述第二衰减层(114)的其余部分。

4.根据权利要求1或2中的一项所述的SAW谐振器(100)，其中，所述第一衰减层(112)和/或所述第二衰减层(114)包括孔隙(116)和/或空腔(118)和/或至少一个至少部分粗糙的面。

5.根据权利要求4所述的SAW谐振器(100)，其中，当所述第一衰减层(112)和/或所述第二衰减层(114)包括孔隙(116)和/或空腔(118)时，所述第一衰减层(112)和/或所述第二衰减层(114)的所述孔隙(116)和/或所述空腔(118)各自具有大致球形或者圆柱形的形状。

6.根据权利要求1或2中的一项所述的SAW谐振器(100)，其中：

-所述第一衰减层(112)独立于所述基底(102)和所述压电材料层(108)，或者对应于所述基底(102)和/或所述压电材料层(108)的一部分，和/或

-所述第二衰减层(114)独立于所述基底(102)的所述两个层(104、106)，或者对应于所述基底(102)的所述两个层(104、106)中的至少一个层的一部分。

7.根据权利要求1或2中的一项所述的SAW谐振器(100)，还包括电极(110)，所述电极(110)布置在所述压电材料层(108)上。

8.一种用于产生表面声波SAW谐振器(100)的方法，所述方法包括至少实施以下步骤：

-在基底(102)上产生第一衰减层(112)，和/或，当所述基底(102)至少包括单独的两个层(104、106)时，在所述基底(102)的所述两个层(104、106)之间产生第二衰减层(114)，至少一个衰减层(112、114)包括多孔硅和/或多晶硅；

-在所述基底(102)上产生压电材料层(108)，或者当所述第一衰减层(112)存在于所述基底(102)上时，在所述第一衰减层(112)上产生所述压电材料层(108)；以及

其中，产生所述第一衰减层(112)和/或所述第二衰减层(114)包括：掺杂所述第一衰减层(112)和/或所述第二衰减层(114)的多孔硅和/或多晶硅的区域，所述区域使得至少一个衰减层(112、114)是异质的，并且其中所述至少一个衰减层(112、114)能够扩散或者吸收至少一部分寄生声波。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，产生所述第一衰减层(112)和/或所述第二衰减层(114)包括：实施至少一种多孔材料的沉积；和/或通过实施光刻和蚀刻步骤产生空腔(118)；和/或实施粗糙表面上的材料沉积，形成所述第一衰减层(112)和/或所述第二衰减层(114)；和/或实施在所述第一衰减层(112)和/或所述第二衰减层(114)的至少一个面上形成粗糙度的处理。