[发明专利]具有不同沟道长度的垂直传输鳍式场效应晶体管

权利要求书

1.一种形成具有不同沟道长度的多个垂直传输鳍式场效应晶体管(VT FinFETs)的方法，包括：

在衬底的第一区域上形成垂直鳍，和在衬底的第二区域上形成垂直鳍；

在衬底的第二区域上的垂直鳍上形成盖块；

在衬底的第一区域上形成第一底部源极/漏极，其中第一底部源极/漏极覆盖第一区域上的垂直鳍的下部；

去除盖块；以及

在衬底的第二区域中形成第二底部源极/漏极，其中第二底部源极/漏极在衬底的表面之下，其中第二底部源极/漏极不覆盖第二区域上的垂直鳍的下部。

2.如权利要求1所述的方法，其中衬底的第一区域上的垂直鳍和衬底的第二区域上的垂直鳍具有在约20nm至约80nm的范围内的高度。

3.如权利要求1或2所述的方法，还包括通过去除衬底的上部来使衬底表面凹陷，以在衬底的第一区域上的垂直鳍和衬底的第二区域上的垂直鳍下方形成鳍延伸部。

4.如权利要求3所述的方法，其中衬底凹陷至约15nm至约50nm范围内的深度。

5.如权利要求3所述的方法，其中第一底部源极/漏极覆盖第一区域上的垂直鳍下方的鳍延伸部。

6.如权利要求5所述的方法，其中对第一底部源极/漏极和第二底部源极/漏极进行热处理，以使掺杂剂从第一底部源极/漏极和第二底部源极/漏极扩散到垂直鳍的邻接部分中。

7.如权利要求6所述的方法，还包括同时在第一区域和第二区域上形成底部间隔物。

8.如权利要求7所述的方法，其中底部间隔物通过离子束沉积形成于第一区域和第二区域上。

9.如权利要求8所述的方法，其进一步包括在底部间隔物上形成栅极结构以及在第一区域及第二区域上形成垂直鳍。

10.一种形成具有不同沟道长度的多个垂直传输鳍式场效应晶体管(VT FinFETs)的方法，包括：

在衬底上形成多个垂直鳍，其中多个垂直鳍中的至少一个在衬底的第一区域上，以及多个垂直鳍中的至少一个在衬底的第二区域上；

在衬底的第二区域上的多个垂直鳍中的至少一个上形成盖块；

在衬底的第一区域上形成第一底部源极/漏极，其中第一底部源极/漏极是通过在衬底的第一区域上外延生长形成；

去除盖块；

在衬底的第二区域中形成第二底部源极/漏极，其中第二底部源极/漏极通过离子注入到衬底的第二区域中形成，并且其中第一底部源极/漏极和第二底部源极/漏极处于衬底上的两个不同高度；以及

在衬底的第一区域上的第一底部源极/漏极上形成第一底部间隔物，在衬底的第二区域上的第二底部源极/漏极上形成第二底部间隔物。

11.如权利要求10所述的方法，其中第一底部源极/漏极生长在衬底的第一区域上至约15nm至约50nm范围内的高度。

12.如权利要求10或11中任一项所述的方法，其进一步包括在多个垂直鳍上形成保护性内部衬里，以及使衬底凹陷以在垂直鳍中的每一个下方形成鳍延伸部。

13.如权利要求12所述的方法，其中第一底部源极/漏极覆盖第一区域上的多个垂直鳍中的至少一个下方的鳍延伸部。

14.如权利要求12所述的方法，进一步包括在保护性内部衬里和第一底部源极/漏极上形成保护性外部衬里。

15.如权利要求14所述的方法，其中第一底部源极/漏极是n型底部源极/漏极，以及第二底部源极/漏极是p型底部源极/漏极。