[发明专利]存储器设备以及制造存储器设备的方法

权利要求书

1.一种存储器设备，包含：

逻辑电路，其中堆叠有包括布线间距不同的布线层的多个层；以及

存储器元件，设置在所述多个布线层之间。

2.根据权利要求1所述的存储器设备，其中，选择元件和所述存储器元件一起设置在所述多个布线层之间。

3.根据权利要求1所述的存储器设备，其中

所述逻辑电路包括逻辑部以及其中形成所述存储器元件的存储器部，并且

所述逻辑部和所述存储器部具有相同的布线结构。

4.根据权利要求1所述的存储器设备，其中，在所述多个布线层中，按顺序堆叠第一布线层和第二布线层，所述第一布线层为布线间距密集的多个布线层堆叠而成，所述第二布线层为比所述第一布线层的布线间距稀疏的布线间距的多个布线层堆叠而成。

5.根据权利要求4所述的存储器设备，其中

所述存储器元件与选择元件一起构成存储器单元，并且

所述存储器单元设置在堆叠在所述第一布线层中的两个布线之间。

6.根据权利要求4所述的存储器设备，其中

所述存储器元件与选择元件一起构成存储器单元，并且

在所述存储器单元中，所述存储器元件设置在堆叠在所述第一布线层内的三个布线中的一方的布线之间，并且所述选择元件设置在另一方的布线之间。

7.根据权利要求4所述的存储器设备，其中

所述存储器元件与选择元件一起构成存储器单元，并且

所述存储器单元和导电膜在堆叠在所述第一布线层内的两个布线之间堆叠。

8.根据权利要求4所述的存储器设备，其中

所述存储器元件与选择元件一起构成存储器单元，并且

所述存储器单元设置在所述第一布线层内的多个布线之间。

9.根据权利要求4所述的存储器设备，其中

所述存储器元件与选择元件一起构成存储器单元，并且

所述存储器单元设置成跨越所述第一布线层和所述第二布线层。

10.根据权利要求9所述的存储器设备，其中，所述存储器元件设置在所述第二布线层侧，并且所述选择元件设置在所述第一布线层侧。

11.根据权利要求4所述的存储器设备，其中

所述存储器元件与选择元件一起构成存储器单元，并且

所述存储器单元分别设置在所述第一布线层内的布线之间和所述第二布线层内的布线之间。

12.根据权利要求2所述的存储器设备，其中

所述多个布线层的每个布线层包括多个布线，以及

保护膜形成在所述存储器元件和所述选择元件的侧面上，所述存储器元件和所述选择元件设置在包括所述多个布线的布线层的一个布线上，所述保护膜形成在与所述一个布线相同的布线层内并且与设置在构成所述逻辑电路的布线上的刻蚀停止膜连续。

13.根据权利要求1所述的存储器设备，其中，所述存储器元件为电阻变化存储器元件或自旋注入存储器元件。

14.一种制造存储器设备的方法，该方法包含：

通过堆叠包括布线间距不同的层的多个布线层来形成逻辑电路；以及

在所述多个布线层之间形成存储器元件。

15.根据权利要求14所述的制造存储器设备的方法，其中

所述多个布线层的每个布线层包括多个布线，

所述方法包括

在包括所述多个布线的布线层的一个布线上形成包括所述存储器元件和选择元件的存储器单元，以及

此后，在与所述一个布线形成在相同的布线层内的另一布线上形成连接所述多个布线层之间的通孔。