[发明专利]光伏元件及制造其的方法在审
申请号: | 201880034554.X | 申请日: | 2018-04-12 |
公开(公告)号: | CN110692141A | 公开(公告)日: | 2020-01-14 |
发明(设计)人: | 赫伯特·利夫卡;西格弗里德·克里斯蒂安·维恩斯特拉;马尔滕·桑德·多伦坎珀;耶罗尼米斯·安东纽斯·约瑟夫斯·玛丽亚·安德里森;赫伊伯特·约翰·范·德恩·霍伊费尔 | 申请(专利权)人: | 荷兰应用科学研究会(TNO) |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L51/00;H01L51/44;H01L31/0352;H01L31/0749 |
代理公司: | 11240 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 杜升 |
地址: | 荷兰*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电荷载体传输层 延伸部 绝缘层 光电转换层 第二电极 叠层 第一电极 光伏元件 平均节距 延伸穿过 有效截面 | ||
提供一种光伏元件(1),包括层的叠层。该层的叠层至少包括以被提及的顺序排列的以下层:第一电极层、第一电荷载体传输层、绝缘层、第二电极层、第二电荷载体传输层以及光电转换层。该光电转换层(70)包含多个分散的延伸部(72),延伸部(72)延伸穿过该第二电荷载体传输层(60)、该第二电极层(50)和该绝缘层(40)至该第一电荷载体传输层(30)。该延伸部(72)具有0.5至10微米范围内的有效截面Deff以及具有所述有效截面的1.1至5倍范围内的平均节距。
技术领域
本发明有关于一种光伏元件。
本发明进一步有关于一种制造该光伏元件的方法。
背景技术
一种包含有一导电基板、一均匀的电子传输层、一介电层、一金属层以及作为光电转换层的钙钛矿层的光伏元件公开于CN 105140398中。该钙钛矿层具有多个通过介电层和金属层而接触电子传输层的通道。因此钙钛矿光电转换层具有其自己的电接触用于在同一侧传送电能。因此下列情况可被避免:待转换的光必须穿过电极层,而因此其在转换之前会衰减。
引述的文件还展示一种制造其中公开的光伏元件得方法。其中,提供透明导电玻璃的基板,并且将电子传输层通过磁控溅射ZnO而沉积在基板上。随后沉积由具有原始直径为2μm的分散PS颗粒的层而形成由所述PS颗粒的六方紧密堆积结构。PS球直径随后通过使用RIE的干式蚀刻减低至1μm。使用ALD沉积随后Au层的磁控溅射将Al2O3的介电层沉积在六角柱形密集结构上。随后,使用溶剂与超音波处理去除PS颗粒以及部分的Al2O3层和沉积在其上的Au层,使得获得与电子传输层绝缘的Au网格。将钙钛矿层旋涂于该Au网格上,该钙钛矿层接触Au网格与ZnO电子传输层两者。
这种已知方法(剥离方法(lift-off process))的缺点是:图案化加工没有被良好地控制。结果,绝缘层以及上方的电极层中的开口的边界是锯齿状的,且获得不可靠的或甚至无效的产品。
注意到在这份文件的优先权日之后公开的WO 2017/060700也使用剥离方法。例如,如图2当中所显示的,随后:
–将图案化的抗蚀层形成在下方电极(a)上
–将绝缘体和HCE层被沉积在其上
–将该图案化的抗蚀层以及存在于其上的部分绝缘体层和HCE层在剥离步骤中去除(c)。
发明内容
本发明的第一目的是要提供具有改善的转换效率的光伏元件。
本发明的第二目的是提供制造这种改善的光伏元件的方法。
根据所述第一目的,根据第一方面,提供权利要求1所述的光伏元件。
根据该第二目的,根据第二方面,通过权利要求8所述的制造光伏元件的方法。
权利要求1所述的提供的光伏元件包含层的叠层,其至少包含依序被命名的下列层:第一电极层、第一电荷载体传输层、绝缘层、第二电极层、第二电荷载体传输层以及光电转换层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的