[发明专利]DQS偏移和READ-RTT-OFF边缘控制

权利要求书

1.一种半导体装置，其包括：

命令接口，其被配置成接收针对读取操作的读取命令和在所述读取操作期间撤销断言针对数据引脚DQ的裸片上终止ODT的命令；

输入，其被配置成接收对应于所述命令的上升边沿在向后方向上相对于所述DQ上的信号的移位数目的移位模式寄存器值的指示，其中所述向后方向是指更早的时间点；

延迟链，其被配置成使所述所接收的命令延迟达所述向后方向上的所述移位数目以产生经移位上升边沿命令信号；和

组合电路，其使下降边沿命令信号与所述经移位上升边沿命令信号组合以形成经变换命令。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其包括额外输入，所述额外输入被配置成接收对应于所述命令的下降边沿在向前方向上的移位数目的额外移位模式寄存器值的指示，其中所述向前方向是指更晚的时间点，其中所述延迟链被配置成使所述所接收的命令延迟达所述向前方向上的所述移位数目。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其包括：

第三输入，其被配置成接收对应于针对数据选通引脚DQS的ODT命令的上升边沿在所述向后方向上相对于所述DQS的信号的移位数目的第三移位模式寄存器值的指示；和

第四输入，其被配置成接收对应于针对所述数据选通引脚DQS的所述ODT命令的下降边沿在所述向前方向上的移位数目的第四移位模式寄存器值的指示。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其包括DQS偏移输入，所述DQS偏移输入被配置成接收用以使所述ODT命令相对于所述命令移位的DQS偏移的指示。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中针对所述DQS的所述ODT命令的所述上升边沿的移位包括所述第三移位模式寄存器值和所述DQS偏移的组合。

6.根据权利要求4所述的半导体装置，其中针对所述DQS的所述ODT命令的所述下降边沿的移位包括所述第四移位模式寄存器值和所述DQS偏移的组合。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中所述ODT的所述下降边沿的所述移位包括基于大于所述读取操作的读取前导的默认长度的所述读取前导的长度的时钟循环的额外移位。

8.根据权利要求4所述的半导体装置，其中所述DQS偏移使DQS ODT命令在所述向前方向或所述向后方向上相对于所述命令移位。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中限制所述所接收的命令的最大移位数目以防止在时间上与读取操作相邻的操作中撤销断言ODT。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述组合电路包括OR门。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述延迟链被配置成产生相对于默认命令的多个向后经移位命令，其中所述默认命令包括未经移位命令，所述未经移位命令通过所述延迟链延迟达所述向后方向上的最大可能移位数目，以致使所述向后经移位命令在所述延迟链中延迟较少时间。