[发明专利]DQS偏移和READ-RTT-OFF边缘控制

说明书

装置、系统和方法包含用于裸片上终止ODT和数据选通信号的控制。举例来说，在读取操作期间撤销断言针对数据引脚DQ的ODT的命令。例如模式寄存器的输入接收对应于所述命令的上升边沿在向后方向上或下降边沿在向前方向上的移位数目的移位模式寄存器值的指示。延迟链使接收的命令的适当边沿延迟达对应方向上的移位数目以产生经移位边沿命令信号。组合电路接着使下降边沿命令信号与经移位上升边沿命令信号组合以形成经变换命令。

技术领域

本公开的实施例大体涉及半导体装置领域。更具体地，本公开的实施例涉及动态裸片上终止(on-die termination，ODT)。

背景技术

例如微计算机、存储器、门阵列等半导体装置可采用裸片上终止(ODT)。启动ODT可干扰一些操作(例如，存储器读取)但可增强其它操作(例如，存储器写入)。因此，可使用基于多种因素断言/撤销断言的信号RTT(例如，RTT_WR)动态地撤销启动/启动ODT。举例来说，RTT可包含以下四种类型中的一种：1)RTT-PARK，其为不基于命令的类型，在模式寄存器中在任何时间启用，2)动态RTT，其在写入命令上发生，3)WR-Nominal-RTT，其在非目标写入命令上发生，和4)RD-Nominal-RTT，其在非目标读取命令上发生。所有这些模式可在数据引脚(DQ)处产生ODT。对于读取操作，可在读取突发期间停用所有这些类型的RTT以防止在DQ处引起冲突。在一些实施例中，可存在确定何种类型的RTT始终和/或在某些条件下优先的优先级列表。举例来说，在一些实施例中，RTT-PARK可具有最低优先级，而RTT-OFF(停用ODT)在读取期间具有最高优先级。

在存储器装置的一些实施例中，可撤销断言RTT信号以产生基于cas写入时延(CWL)、cas时延(CL)、数据突发长度、写入前导和/或与时延无关的动态非ODT窗。CL是列存取选通时延，其为介于当存储器控制器告知存储器模块存取特定存储器列时与当给定阵列位置中的数据可用时之间的延迟时间。此外，CL是从当断言读取命令时到当在数个时钟循环中读取第一数据时的时间段。然而，此时序可非常固定以防止动态RTT窗在可不利地受RTT处在作用中影响的其它操作(例如，读取操作)期间处于作用中。

本公开的实施例可针对于上文所阐述的一或多个问题。

附图说明

图1是根据本公开的实施例的说明存储器装置的某些特征的简化框图；

图2说明根据本公开的实施例的指示非ODT窗和时钟信号之间的关系的时序图；

图3说明根据本公开的实施例的时序图，其包含用于DQ和DQS的单独非ODT脉冲以使得DQ和/或DQS信号能够彼此独立地移位；

图4是根据本公开的实施例的时序图，其说明DQS信号和DQS RTT-OFF信号的上升边沿的向后移位和DQS信号和DQS RTT-OFF信号的下降边沿的向前移位；

图5是根据本公开的实施例的说明图3的DQ RTT-OFF信号的向后移位的时序图；

图6说明根据本公开的实施例的可用于确定在跟踪传入命令的移位时使用的命令的索引值的时序图；

图7说明根据本公开的实施例的延迟链的框图；

图8说明根据一实施例的用以使用复用器选择移位命令的选择电路的框图，所述复用器选择在图7的延迟链中产生的多个命令中的一个；

图9说明根据一实施例的图5的DQ RTT-OFF信号的组合的时序图；

图10说明根据一实施例的可用于使图4的DQ RTT-OFF信号移位的DQ RTT移位电路的示意图；

图11说明根据一实施例的图10的DQ RTT移位电路的更详细示意图；

图12说明根据一实施例的具有DQS偏移补偿的DQS RTT-OFF移位电路的示意图；