[发明专利]掩模坯料、相移掩模及制造方法、半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种掩模坯料，该掩模坯料在透光性基板上具备相移膜，其特征在于，

所述相移膜具有使ArF准分子激光的曝光用光以15％以上的透过率透过的功能、以及使透过所述相移膜的所述曝光用光与在空气中通过与所述相移膜的厚度相同的距离的所述曝光用光之间产生150度以上200度以下的相位差的功能，

所述相移膜由含有非金属元素与硅的材料形成，

所述相移膜包含从所述透光性基板侧起依次层叠有第一层、第二层以及第三层的构造，

所述第一层与所述透光性基板的表面相接地设置，

在将所述第一层、第二层以及第三层在所述曝光用光的波长下的折射率分别设为n₁、n₂、n₃时，满足n₁＜n₂以及n₂＞n₃的关系，

在将所述第一层、第二层以及第三层在所述曝光用光的波长下的消光系数分别设为k₁、k₂、k₃时，满足k₁＞k₂＞k₃的关系。

2.根据权利要求1所述的掩模坯料，其特征在于，

所述第一层的所述折射率n₁小于2.0，所述第一层的所述消光系数k₁为1.0以上。

3.根据权利要求1或2所述的掩模坯料，其特征在于，

所述第一层的厚度为10nm以下。

4.根据权利要求1或2所述的掩模坯料，其特征在于，

所述第二层的所述折射率n₂为2.3以上，并且所述第二层的所述消光系数k₂为0.5以下。

5.根据权利要求1或2所述的掩模坯料，其特征在于，

所述第三层的所述折射率n₃小于2.3，并且所述第三层的所述消光系数k₃为0.15以下。

6.根据权利要求1或2所述的掩模坯料，其特征在于，

所述相移膜利用由非金属元素与硅构成的材料形成，或者利用由半金属元素、非金属元素以及硅构成的材料形成。

7.根据权利要求1或2所述的掩模坯料，其特征在于，

所述第一层、第二层以及第三层都由含有氮的材料形成。

8.根据权利要求1或2所述的掩模坯料，其特征在于，

所述第三层由含有氧的材料形成。

9.根据权利要求1或2所述的掩模坯料，其特征在于，

所述相移膜在所述第三层之上具备第四层，

在将所述第四层在所述曝光用光的波长下的折射率设为n₄时，满足n₁＜n₄以及n₃＜n₄的关系，

在将所述第四层在所述曝光用光的波长下的消光系数设为k₄时，满足k₁＞k₄以及k₃＜k₄的关系。

10.根据权利要求9所述的掩模坯料，其特征在于，

所述第四层的所述折射率n₄为2.3以上，并且所述第四层的所述消光系数k₄为0.5以下。

11.根据权利要求9所述的掩模坯料，其特征在于，

所述第四层由含有氮的材料形成。

12.根据权利要求1或2所述的掩模坯料，其特征在于，

在所述相移膜上具备遮光膜。