[发明专利]用于制造半导体器件和切割道的方法

权利要求书

1.用于在衬底(102)中制造半导体器件(100)的方法，所述方法至少包括以下步骤的实施：

-在所述衬底(102)的主面的一部分上光刻中间掩模(118)的图案，所述中间掩模的图案在所述衬底(102)中限定所述半导体器件(100)中的至少一个半导体器件的至少第一元件(111)，在所述衬底(102)的主面上多次重复对所述中间掩模(118)的图案的曝光，以便限定所有所述半导体器件(100)的第一元件(111)，

-在所述衬底(102)的所有主面上光刻蚀刻掩模(132)的图案，

-将在所述衬底(102)的主面上的光刻图案蚀刻成所述衬底(102)的厚度的一部分，

其中，环绕所述半导体器件(100)的第一切割道(130)被包含在所述蚀刻掩模(132)的图案中和/或所述中间掩模(118)的图案中，并且在所述衬底(102)的所有主面上光刻蚀刻掩模(132)的图案的步骤限定了第二切割道(140)，所述第二切割道由所述衬底(102)的边缘的预定断裂线限定，

并且所述方法进一步包括以下步骤的实施：通过所述第一切割道和所述第二切割道(130，140)用激光束照射所述衬底(102)，从而在所述第一切割道和所述第二切割道(130，140)的下方在所述衬底(102)中形成弱化线。

2.根据权利要求1所述的方法，所述方法进一步包括在实施光刻步骤之前，通过建模或通过解析计算或通过观察在与所述衬底(102)相同的另一衬底中获得的断裂线来识别所述衬底(102)的边缘的预定断裂线的步骤，在所述另一衬底中尚未产生所述第二切割道(140)。

3.根据前述权利要求中的一项所述的方法，其中，所述第二切割道(140)至少位于所述衬底(102)的边缘的预定断裂线上。

4.根据前述权利要求中的一项所述的方法，其中，所述衬底(102)的边缘的预定断裂线从由所述第一切割道(130)形成的拐角延伸到所述衬底(102)的边缘。

5.根据前述权利要求中的一项所述的方法，其中，所述半导体器件(100)是MEMS和/或NEMS半导体器件。

6.根据前述权利要求中的一项所述的方法，其中：

-所述衬底(102)包括支撑层(104)、第一活性半导体层(108)和第一介电层(106)，所述第一介电层被设置在所述支撑层(104)与第一活性层(108)之间，

-所述半导体器件(100)的第一元件(111)以及所述第一切割道和所述第二切割道(130，140)被蚀刻在所述第一活性层(108)中，并且

-所述弱化线形成在所述支撑层(104)中。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第一活性层(108)的厚度大于或等于约120μm。

8.根据权利要求1至5中的一项所述的方法，其中：

-所述衬底(102)包括支撑层(104)、第一活性半导体层(108)、第一介电层(106)、第二介电层(110)以及第二活性半导体层(112)，所述第一介电层被设置在所述支撑层(104)与所述第一活性层(108)之间，所述第一活性层(108)被设置在所述第一介电层与所述第二介电层(106，110)之间，所述第二介电层(110)被设置在所述第一活性层与所述第二活性层(108，112)之间，

-所述半导体器件(100)的第一元件(111)以及所述第一切割道和所述第二切割道(130，140)被至少蚀刻在所述第二活性层(112)中，并且

-所述弱化线形成在所述支撑层(104)和所述第一活性层(108)中。