[发明专利]N,N’-二(杂)芳基-5,10-二氢吩嗪的低聚物、其阴极活性材料、阴极、电池及其制备方法

权利要求书

1.一种下式（I）的低聚物：

式（I）

其中X是相同或不同的，H或者经取代或未经取代的芳基或杂芳基；Y为H或；R为经取代或未经取代的亚芳基或亚杂芳基；以及n为3至30。

2.根据权利要求1所述的低聚物，其中R为经取代或未经取代的间亚苯基或对亚苯基。

3.根据权利要求1或2所述的低聚物，其中X是相同或不同的，H或者经取代或未经取代的苯基。

4.一种低聚物混合物，其包含两种或更多种根据权利要求1至3中任意一项所述的低聚物。

5.一种用于制备根据权利要求4所述的低聚物混合物的方法，包括以下步骤：

1）使5,10-二氢吩嗪与hal-R-hal反应；

2）任选地，添加X′-hal以进行封端；和/或

3）任选地，添加Y′-H以进行封端；

其中hal表示卤素原子，X′是相同或不同的经取代或未经取代的芳基或杂芳基；Y′为。

6.一种用于制备根据权利要求1至3中任一项所述的低聚物的方法，包括进一步分离根据权利要求4所述的低聚物混合物或由根据权利要求5所述的方法制备的所述低聚物混合物。

7.一种阴极活性材料，包含根据权利要求1至3中任一项所述的低聚物或根据权利要求4所述的低聚物混合物。

8.一种阴极，包含根据权利要求7所述的阴极活性材料。

9.一种电池，包含根据权利要求7所述的阴极活性材料。

10.根据权利要求9所述的电池，其选自Li离子电池、基于Na的电池和基于Mg的电池。

11.权利要求1至5中任一项所述的低聚物或者根据权利要求6所述的低聚物混合物用于制备阴极活性材料的用途。

12.单体用于制备阴极活性材料的用途。