[发明专利]用于制造涂覆碳化硅的主体的工艺

权利要求书

1.在化学气相沉积(CVD)方法中使用二甲基二氯硅烷前驱物材料制造涂覆碳化硅(SiC)的主体的工艺，其中所述二甲基二氯硅烷前驱物材料包含

(A)二甲基二氯硅烷(DMS)，所述二甲基二氯硅烷作为主要组分，和

(B)至少一种另外组分，所述另外组分不同于DMS并为硅氧烷化合物或硅氧烷化合物的混合物，

其中相对于所述二甲基二氯硅烷前驱物材料，所述另外组分(B)的含量为＞0wt.％至2.00wt.％。

2.根据权利要求1所述的工艺，其中所述二甲基二氯硅烷前驱物材料包含＞0wt.％至1.500wt.％、优选地＞0wt.％至＜1.040wt.％、优选地＞0wt.％至1.000wt.％、优选地＞0wt.％至0.900wt.％、优选地＞0wt.％至0.850wt.％、优选地＞0wt.％至0.800wt.％、优选地＞0wt.％至0.750wt.％、优选地＞0wt.％至0.700wt.％、优选地＞0wt.％至0.600wt.％、优选地＞0wt.％至0.500wt.％的含量的硅氧烷化合物(B)。

3.根据权利要求1或2所述的工艺，其中所述二甲基二氯硅烷前驱物材料包含不超过0.500wt.％、优选地不超过0.450wt.％、优选地不超过0.400wt.％、优选地不超过0.375wt.％的含量的硅氧烷化合物(B)。

4.根据前述权利要求中任一项所述的工艺，其中所述二甲基二氯硅烷前驱物材料包含

＞0wt.％至1.000wt.％、优选地＞0wt.％至0.850wt.％、优选地＞0wt.％至0.800wt.％、优选地＞0wt.％至0.750wt.％、优选地＞0wt.％至0.725wt.％、优选地＞0wt.％至0.710wt.％的1,3-二氯-1,1,3,3,-四甲基二硅氧烷；和/或

＞0wt.％至0.200wt.％、优选地＞0wt.％至0.150wt.％、优选地＞0wt.％至0.140wt.％、优选地＞0wt.％至0.130wt.％、优选地＞0wt.％至0.120wt.％、优选地＞0wt.％至0.110wt.％的1,3-二氯-1,1,3,5,5,5,-六甲基三硅氧烷；和/或

＞0wt.％至0.200wt.％、优选地＞0wt.％至0.190wt.％、优选地＞0wt.％至0.180wt.％、优选地＞0wt.％至0.170wt.％、优选地＞0wt.％至0.160wt.％的八甲基环四硅氧烷。

5.根据前述权利要求中任一项所述的工艺，其中所述二甲基二氯硅烷前驱物材料进一步包含

(C)选自由以下项组成的组中的金属元素中的一种或多种：Na、Mg、Al、Ca、Ti、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Mo和W，

其中相对于所述二甲基二氯硅烷前驱物材料，所述金属元素(C)的含量为≤30.00ppmwt.、优选地≤25.00ppm wt.、优选地≤20.00ppm wt.。

6.根据权利要求5所述的工艺，其中

(所述金属元素为Mn，并且

相对于所述二甲基二氯硅烷前驱物材料，所述Mn金属元素(C)的含量为＜150ppb wt.、优选地＜100ppb wt.、优选地＜50ppb wt.、优选地＜40ppb wt.、优选地＜30ppb wt.、优选地＜20ppb wt.，优选地，Mn的所述含量在＞0ppb wt.与40ppb wt.之间。

7.根据权利要求5或6所述的工艺，其中

所述金属元素为Cu，并且

相对于所述二甲基二氯硅烷前驱物材料，所述Cu金属元素(C)的含量为＜50ppb wt.、优选地＜45ppb wt.、优选地≤40ppb wt.、优选地≤35ppb wt.、优选地≤30ppb wt.、优选地≤25ppb wt.，优选地，Cu的所述含量在＞0ppb wt.与25ppb wt.之间。