[发明专利]用于沉积多晶硅的电极

权利要求书

1.电极(10)，其包括保持器区段(12)、具有容纳所述保持器区段(12)的切口(16)的基部区段(14)和布置在所述基部区段(14)和所述保持器区段(12)之间的任选存在的至少一个中间区段(18)，其中所述保持器区段、所述基部区段和所述中间区段(12、14、18)中的至少两个其比热导率不同，其中所述保持器区段(12)具有最低的比热导率，并且所述基部区段(14)具有最高的比热导率，并且其中相邻的区段具有相对界面，所述界面至少部分地彼此机械接触并因此形成接触区域(K、K1、K2)，其特征在于，为了减小接触区域(K、K1、K2)，所述界面中的至少一个具有至少一个凹陷(20、21、22、23、24)和/或凸起，并且至少一个插入件(32、33、34)布置在两个所述保持器区段、所述基部区段和所述中间区段(12、14、18)之间。

2.根据权利要求1所述的电极，其特征在于，至少或仅所述保持器区段(12)的所述界面具有至少一个凹陷(20)和/或凸起。

3.根据权利要求1或2所述的电极，其特征在于，所述保持器区段具有用于容纳长丝棒的凹部(30)。

4.根据权利要求1或2所述的电极，其特征在于，所述凹陷(20、21、22、23、24、25)和/或凸起是点状和/或线性的。

5.根据权利要求1或2所述的电极，其特征在于，所述保持器区段、所述基部区段和所述中间区段(12、14、18)由石墨制成。

6.根据权利要求1或2所述的电极，其特征在于，所述插入件(32、33、34)具有至少一个表面(35)，所述表面(35)具有至少一个凹陷(25)和/或凸起。

7.根据权利要求1或2所述的电极，其特征在于，所述插入件(32、33、34)由与所述保持器区段、所述基部区段和所述中间区段(12、14、18)不同的材料制成。

8.根据权利要求1或2所述的电极，其特征在于，所述插入件(32、33、34)由选自以下组中的材料制成：石英、碳化硅、氮化硅、氮化硅陶瓷、氧化锆陶瓷、氧化铝陶瓷和碳纤维增强碳。

9.根据权利要求1或2所述的电极，其特征在于，所述插入件(32、33、34)具有1至20W/m*K的比热导率。

10.根据权利要求1或2所述的电极，其特征在于，所述插入件(32、33、34)具有1至12W/m*K的比热导率。

11.根据权利要求1或2所述的电极，其特征在于，所述插入件(32、33、34)具有1至5W/m*K的比热导率。

12.根据权利要求1或2所述的电极，其特征在于，所述插入件(32、33、34)由比热导率各向异性的材料制成。

13.用于在反应器中生产多晶硅的方法，所述反应器包括至少一个可通过直接通电加热的长丝棒对，所述方法包括将含有含硅组分和氢的反应气体引入所述反应器中，其中将来自气相的元素硅沉积在所述长丝棒对的表面上，其特征在于，所述长丝棒对由两个根据权利要求1至12中任一项所述的电极(10)保持并供应电流。