[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

第一基底；

位于所述第一基底表面的第一键合层，所述第一键合层的材料为包含Si、N和C元素的介质材料，所述第一键合层内各位置处均包含Si元素和N元素，所述第一键合层与所述第一基底界面两侧的材料组分基本相同，所述第一键合层中C的原子浓度随第一键合层厚度增加而逐渐增大，所述第一键合层背向所述第一基底的表层的C原子浓度大于或等于35％。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述表层厚度为

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：第二基底，所述第二基底表面形成有第二键合层，所述第二键合层与所述第一键合层表面相对键合固定。

4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第二键合层的材料为包含C元素的介质材料，所述第二键合层背向所述第二基底的表层的C原子浓度大于或等于35％。

5.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第二键合层的材料与所述第一键合层的材料相同。

6.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，还包括：贯穿所述第一键合层的第一键合垫；贯穿所述第二键合层的第二键合垫；所述第一键合垫与第二键合垫相对键合连接。

7.一种半导体结构，其特征在于，包括：

第一基底；

位于所述第一基底表面的键合叠层，所述键合叠层包括键合的两层键合层，所述键合叠层的材料为包含Si、N、C和O的介质材料，所述键合叠层内各位置处均包含Si元素和N元素，所述键合叠层与所述第一基底界面两侧的材料组分基本相同，所述键合叠层中C的原子浓度随厚度增加而逐渐增大，所述键合层靠近键合面的表层的C原子浓度大于或等于35％。

8.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述键合叠层为两层具有CH3键的键合层分别经氧化后键合而成。

9.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，还包括：第二基底，位于所述键合叠层背向所述第一基底的一侧。

10.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，还包括：贯穿所述键合层的键合垫；两个所述键合层内的键合垫相对键合连接。

11.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供第一基底；

在所述第一基底表面形成第一键合层，所述第一键合层的材料为包含Si、N和C元素的介质材料且含有CH3键，所述第一键合层内各位置处均包含Si元素和N元素，所述第一键合层与所述第一基底界面两侧的材料组分基本相同，所述第一键合层中C的原子浓度随第一键合层厚度增加而逐渐增大；

提供第二基底；

在所述第二基底表面形成第二键合层，所述第二键合层的材料与所述第一键合层的材料相同；

使所述第一键合层、第二键合层的表层氧化，以使CH3键被氧化为OH键；

将所述第一键合层和第二键合层相对键合连接。

12.根据权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一键合层和第二键合层的表层内的C原子浓度大于或等于35％。

13.根据权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用等离子体增强化学气相沉积工艺形成所述第一键合层。

14.根据权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述表层厚度为