[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

第一基底；

位于所述第一基底表面的第一粘附层；

位于所述第一粘附层表面的第一键合层，所述第一粘附层的致密度大于所述第一键合层的致密度，所述第一键合层的材料为包含C元素的介质材料，所述第一键合层中C的原子浓度随第一键合层厚度增加而增大，所述第一粘附层内的组分浓度随厚度逐渐变化，所述第一粘附层与所述第一基底界面两侧的材料组分接近；

第二基底，所述第二基底表面形成有第二粘附层和位于所述第二粘附层表面的第二键合层，所述第二粘附层的致密度大于所述第二键合层的致密度，所述第二键合层与所述第一键合层的材料相同，所述第二粘附层与所述第一粘附层的材料相同，所述第二键合层与所述第一键合层表面相对键合固定。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一键合层还包括Si和N。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一粘附层的材料包括氮化硅、氮氧化硅以及氧化硅中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一粘附层的厚度为

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二粘附层的厚度为

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括贯穿所述第一键合层和第一粘附层的第一键合垫；贯穿所述第二键合层和第二粘附层的第二键合垫；所述第一键合垫与第二键合垫相对键合连接。

7.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供第一基底；

在所述第一基底表面形成第一粘附层；

对所述第一粘附层进行等离子体轰击，以提高致密度；

在所述第一粘附层表面形成第一键合层，所述第一粘附层的致密度大于所述第一键合层的致密度，所述第一键合层的材料为包含C元素的介质材料，所述第一键合层中C的原子浓度随第一键合层厚度增加而增大，所述第一粘附层内的组分浓度随厚度逐渐发生变化，使得所述第一粘附层与所述第一基底界面两侧的材料组分接近；

提供第二基底；

在所述第二基底表面形成第二粘附层和位于所述第二粘附层表面的第二键合层，所述第二粘附层的致密度大于所述第二键合层的致密度，所述第二键合层与所述第一键合层的材料相同，所述第二粘附层与所述第一粘附层的材料相同；

将所述第二键合层表面与所述第一键合层表面相对键合固定。

8.根据权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，进行所述等离子体轰击之前，所述第一粘附层含有H键；在所述等离子体轰击步骤中，采用含N等离子体进行轰击，以减少所述第一粘附层中的H键。

9.根据权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一键合层还包括Si和N。

10.根据权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一粘附层的材料包括氮化硅、氮氧化硅以及氧化硅中的至少一种。

11.根据权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一粘附层的厚度为