[发明专利]原子尺度多层复合膜钝化的延伸波长铟镓砷探测器及方法

权利要求书

1.一种原子尺度多层复合膜钝化的延伸波长铟镓砷探测器，其结构为：在半绝缘InP衬底(1)上，依次为N⁺型InP层(2)，组分渐变的N⁺型In_xAl_1-xAs缓冲层(3)，In_xGa_1-xAs吸收层(4)，P⁺型In_xAl_1-xAs帽层(5)，多层氧化铝Al₂O₃(6)和氮化硅SiN_x(7)复合膜，P电极(8)，加厚电极(9)，其特征在于：

所述的多层复合膜是指多层氧化铝Al₂O₃(6)和氮化硅SiN_x(7)复合膜，其中多层氧化铝Al₂O₃的层数为190～210层，氮化硅SiN_x的厚度为580nm～620nm。

2.一种制备如权利要求1所述的一种原子尺度的多层复合膜钝化的延伸波长铟镓砷探测器的方法，具体步骤如下：在台面型延伸波长铟镓砷外延材料上1)淀积氮化硅刻蚀掩膜，2)刻蚀台面，3)去除氮化硅掩膜4)开N槽，5)生长P电极，6)快速热退火，7)淀积多层氧化铝钝化膜，8)淀积氮化硅钝化膜，9)开P、N电极孔，10)生长加厚电极，其特征在于：

在步骤7)中所述的淀积多层氧化铝钝化膜方法为：采用原子层沉积技术生长，单层厚度0.1nm、累计层数为190～210层，生长温度为150±5℃。

在步骤8)中所述的淀积氮化硅钝化膜方法为：采用感应耦合等离子体化学气相淀积技术生长580nm～620nm的氮化硅作为钝化膜，生长条件为：ICP功率为750±5W、衬底温度75±5℃。