[发明专利]一种OLED显示面板及其制备方法有效
申请号: | 201910085679.1 | 申请日: | 2019-01-29 |
公开(公告)号: | CN109904340B | 公开(公告)日: | 2021-02-02 |
发明(设计)人: | 夏晨 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 oled 显示 面板 及其 制备 方法 | ||
1.一种OLED显示面板,其特征在于,包括:
基板;
TFT驱动层,所述TFT驱动层设置于所述基板上;
OLED发光层,所述OLED发光层设置于所述TFT驱动层上;
第一无机封装层,所述第一无机封装层设置于所述OLED发光层上;
有机封装层,所述有机封装层设置于所述第一无机封装层上;
缓冲层,所述缓冲层设置于所述有机封装层上;
金属层,所述金属层设置于所述缓冲层上;
平坦层,所述平坦层包覆于所述金属层上;以及
第二无机封装层,所述第二无机封装层设置于所述平坦层上;
其中,所述金属层构成材料为金属银,所述金属层为纳米颗粒结构;所述缓冲层的材料为聚乙烯二氧噻吩-聚苯乙烯磺酸。
2.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述金属层采用的纳米颗粒结构的粒径范围为50-150nm。
3.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述金属银的厚度范围为10-12nm。
4.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述平坦层的材料为SU-8光刻胶。
5.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述缓冲层的厚度范围为1-1.5μm,所述平坦层的厚度范围为1-1.5μm。
6.一种制备权利要求1所述的OLED显示面板的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1,提供一基板,在所述基板上依次制备出TFT驱动层、OLED发光层;
S2,在所述OLED发光层上制备出第一无机封装层;
S3,在所述第一无机封装层上制备出有机封装层;
S4,在所述有机封装层上制备出缓冲层,所述缓冲层的材料为聚乙烯二氧噻吩-聚苯乙烯磺酸;
S5,在所述缓冲层上制备出一层金属层,所述金属层构成材料为金属银,所述金属层为纳米颗粒结构;
S6,在所述金属层上制备出平坦层;以及
S7,在所述平坦层上制备出第二无机封装层。
7.根据权利要求6所述的OLED显示面板的制备方法,其特征在于,所述步骤S5中包括在所述缓冲层上制备一层金属,然后对制备出的所述金属继续进行低温退火方式处理,在所述缓冲层材料表面的能量修饰作用下,经过退火处理后的所述金属变成通过其构成材料采用纳米颗粒结构的方式构成的金属层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
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