[发明专利]一种湿法刻蚀设备及方法有效
申请号: | 201910087492.5 | 申请日: | 2019-01-29 |
公开(公告)号: | CN109904095B | 公开(公告)日: | 2021-10-19 |
发明(设计)人: | 顾立勋 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/306 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 高洁;张颖玲 |
地址: | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 湿法 刻蚀 设备 方法 | ||
1.一种湿法刻蚀设备,其特征在于,所述设备包括:刻蚀液输入装置、参数调整装置、和与所述刻蚀液输入装置连接的喷淋装置;
所述刻蚀液输入装置,包括至少三个存储单元和输入管线,所述三个存储单元分别用于存储表面清洗过程的清洗液、刻蚀液和后清洗过程的清洗液;
所述刻蚀液输入装置用于向所述喷淋装置输入表面清洗过程的清洗液、刻蚀液和后清洗过程的清洗液;所述输入管线包括至少三条独立的分管线,每一所述分管线用于向所述喷淋装置输入刻蚀液或者清洗液;
所述参数调整装置,用于调整所述设备的刻蚀参数,其中,所述刻蚀参数至少包括:硅片厚度变化量;所述参数调整装置至少包括第一参数调整装置与第二参数调整装置,所述第一参数调整装置与刻蚀液输入装置的输入端相连,所述第二参数调整装置与刻蚀液输入装置的输出端和至少两个喷嘴的输入端相连;
所述喷淋装置包括至少两个喷嘴,所述至少两个喷嘴沿待刻蚀器件的中心至边缘的延伸方向依次设置,且每一喷嘴的喷淋方向朝向所述待刻蚀器件;
其中,所述喷淋装置能够绕所述待刻蚀器件的中心轴线旋转,每一喷嘴用于沿所述喷淋方向,向所述待刻蚀器件喷淋所述刻蚀液,以实现对所述待刻蚀器件进行湿法刻蚀。
2.根据权利要求1所述的设备,其特征在于,所述参数调整装置,与所述刻蚀液输入装置和/或所述至少两个喷嘴连接。
3.根据权利要求1所述的设备,其特征在于,所述参数调整装置包括以下至少之一:流量调整单元、浓度调整单元和温度调整单元;
对应地,所述参数调整装置用于调整每一喷嘴的以下喷淋参数中的任意一个或多个:刻蚀液流量、刻蚀液浓度和刻蚀液温度,进而实现调整所述刻蚀参数。
4.根据权利要求2所述的设备,其特征在于,当所述参数调整装置与所述至少两个喷嘴中的任意一个或多个喷嘴连接时,所述参数调整装置包括预设数量的调整单元,每一调整单元与一个喷嘴对应;
其中,每一调整单元,用于对对应喷嘴的以下喷淋参数中的任意一个或多个进行调整:刻蚀液流量、刻蚀液浓度和刻蚀液温度,进而实现所述对应喷嘴向所述待刻蚀器件以特定喷淋参数喷淋刻蚀液。
5.根据权利要求1所述的设备,其特征在于,所述设备还包括:至少两个液体回收装置;
其中,所述至少两个液体回收装置中的每一液体回收装置,用于回收所述湿法刻蚀的清洗过程中的清洗液,或者,用于回收所述湿法刻蚀的刻蚀过程中的刻蚀液。
6.根据权利要求5所述的设备,其特征在于,所述设备还包括:第一切换装置;
所述第一切换装置与每一液体回收装置连接,用于在湿法刻蚀过程中,切换任意一个液体回收装置对所述清洗液或者所述刻蚀液进行回收。
7.根据权利要求5所述的设备,其特征在于,所述设备还包括:基台和第二切换装置;
所述基台,用于承载所述待刻蚀器件;
所述第二切换装置与所述基台连接,用于调整所述待刻蚀器件的位置参数,从而实现切换任意一个液体回收装置对所述清洗液或者所述刻蚀液进行回收。
8.根据权利要求7所述的设备,其特征在于,所述至少两个喷嘴所喷淋的宽度与所述待刻蚀器件的半径相同;
对应地,所述基台在电机的驱动下绕所述基台的中心轴线转动,并带动所述待刻蚀器件进行旋转,进而实现所述至少两个喷嘴向所述待刻蚀器件的表面喷淋刻蚀液。
9.根据权利要求5所述的设备,其特征在于,所述设备还包括:泄露监测装置;
所述泄露监测装置与每一液体回收装置连接,用于对每一液体回收装置的泄露情况进行监测。
10.根据权利要求7所述的设备,其特征在于,所述第二切换装置包括升降结构;所述基台包括用于固定所述待刻蚀器件的固定件;
所述升降结构与所述固定件连接,用于调整所述固定件的位置参数,从而实现切换任意一个液体回收装置对所述清洗液或者所述刻蚀液进行回收。
11.一种湿法刻蚀方法,其特征在于,应用于权利要求1至10任一项所述的湿法刻蚀设备,所述方法包括:
将待刻蚀器件放置于所述湿法刻蚀设备的基台之上;
通过所述湿法刻蚀设备的喷淋装置上的至少两个喷嘴,沿每一喷嘴的喷淋方向,向所述待刻蚀器件喷淋清洗液或刻蚀液,以实现对所述待刻蚀器件进行清洗或湿法刻蚀,其中,所述喷淋装置能够绕所述待刻蚀器件的中心轴线旋转,所述至少两个喷嘴沿所述待刻蚀器件的中心至边缘的延伸方向依次设置,且所述喷淋方向朝向所述待刻蚀器件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造