[发明专利]一种湿法刻蚀设备及方法

说明书

本申请实施例公开了一种湿法刻蚀设备及方法，其中，所述设备包括：刻蚀液输入装置、和与所述刻蚀液输入装置连接的喷淋装置；所述刻蚀液输入装置，用于向所述喷淋装置输入刻蚀液；所述喷淋装置包括至少两个喷嘴，所述至少两个喷嘴沿待刻蚀器件的中心至边缘的延伸方向依次设置，且每一喷嘴的喷淋方向朝向所述待刻蚀器件；其中，每一喷嘴用于沿所述喷淋方向，向所述待刻蚀器件喷淋所述刻蚀液，以实现对所述待刻蚀器件进行湿法刻蚀。

技术领域

本发明实施例涉及半导体制造领域，涉及但不限于一种湿法刻蚀设备及方法。

背景技术

在半导体器件的形成过程中，常规的工艺过程主要包括不同材料层的沉积过程和对不同材料的刻蚀过程。目前，在刻蚀工艺中，主要包括湿法刻蚀和干法刻蚀，其中，湿法刻蚀主要是指采用液态化学药品对待刻蚀器件的材料进行局部或者整体去除的过程。湿法刻蚀的工艺原理是采用适当的刻蚀液与待刻蚀器件的待刻蚀材料进行化学反应，以改变待刻蚀器件的结构以及待刻蚀器件表面的形貌。

现有的湿法刻蚀设备一般是在待刻蚀器件表面的中心位置之上设置一个喷嘴，通过该喷嘴向待刻蚀器件以固定的喷淋速度喷淋刻蚀液。

但是，采用一个喷嘴以固定喷淋速度喷淋刻蚀液的方式，由于是对待刻蚀器件形成单点冲击，因此，容易在待刻蚀器件的中心位置形成局部的过刻蚀，进而使得待刻蚀器件的硅片厚度变化量(Total Thickness Variation，TTV)难以控制。

发明内容

有鉴于此，本申请实施例提供一种湿法刻蚀设备及方法。

本申请实施例的技术方案是这样实现的：

第一方面，本申请实施例提供一种湿法刻蚀设备，所述设备包括：刻蚀液输入装置、和与所述刻蚀液输入装置连接的喷淋装置：

所述刻蚀液输入装置，用于向所述喷淋装置输入刻蚀液；

所述喷淋装置包括至少两个喷嘴，所述至少两个喷嘴沿待刻蚀器件的中心至边缘的延伸方向依次设置，且每一喷嘴的喷淋方向朝向所述待刻蚀器件；

其中，每一喷嘴用于沿所述喷淋方向，向所述待刻蚀器件喷淋所述刻蚀液，以实现对所述待刻蚀器件进行湿法刻蚀。

在其他实施例中，所述设备还包括：参数调整装置；

所述参数调整装置，与所述刻蚀液输入装置和/或所述至少两个喷嘴连接，用于调整所述设备的刻蚀参数；其中，所述刻蚀参数包括以下至少之一：刻蚀速度、刻蚀厚度和TTV。

在其他实施例中，所述参数调整装置包括以下至少之一：流量调整单元、浓度调整单元和温度调整单元；

对应地，所述参数调整装置用于调整每一喷嘴的以下喷淋参数中的任意一个或多个：刻蚀液流量、刻蚀液浓度和刻蚀液温度，进而实现调整所述刻蚀参数。

在其他实施例中，当所述参数调整装置与所述至少两个喷嘴中的任意一个或多个喷嘴连接时，所述参数调整装置包括预设数量的调整单元，每一调整单元与一个喷嘴对应；

其中，每一调整单元，用于对对应喷嘴的以下喷淋参数中的任意一个或多个进行调整：刻蚀液流量、刻蚀液浓度和刻蚀液温度，进而实现所述对应喷嘴向所述待刻蚀器件以特定喷淋参数喷淋刻蚀液。

在其他实施例中，所述设备还包括：至少两个液体回收装置；

其中，所述至少两个液体回收装置中的每一液体回收装置，用于回收所述湿法刻蚀的清洗过程中的清洗液，或者，用于回收所述湿法刻蚀的刻蚀过程中的刻蚀液。

在其他实施例中，所述设备还包括：第一切换装置；

所述第一切换装置与每一液体回收装置连接，用于在湿法刻蚀过程中，切换任意一个液体回收装置对所述清洗液或者所述刻蚀液进行回收。