[发明专利]OLED显示装置的制备方法及OLED显示装置在审
| 申请号： | 201910093716.3 | 申请日： | 2019-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN109888130A | 公开（公告）日： | 2019-06-14 |
| 发明（设计）人： | 龚文亮;崔昇圭 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56;H01L51/52;H01L27/32 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 黑色矩阵 制备 彩膜基板 黑色矩阵表面 纳米结构 纳米压印 蜂窝状 凹陷 磨具 压印 阳极氧化铝模板 薄膜封装层 户外强光 吸收效率 依次设置 彩膜层 反射率 后冷却 多层 | ||
1.一种OLED显示装置的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
S10，使用多层阳极氧化铝模板制备纳米压印磨具；
S20，提供一TFT阵列基板，在所述TFT阵列基板表面由下到上依次设置OLED发光层、薄膜封装层以及彩膜基板，所述彩膜基板包括彩膜层以及第一黑色矩阵；
S30，使用所述纳米压印磨具对所述第一黑色矩阵进行压印，形成第二黑色矩阵，所述第二黑色矩阵的表面为凹陷的蜂窝状纳米结构，压印后冷却，制成OLED显示装置。
2.根据权利要求1所述的OLED显示装置的制备方法，其特征在于，所述S10中，所述纳米压印磨具为圆柱滚筒状。
3.根据权利要求2所述的OLED显示装置的制备方法，其特征在于，所述纳米压印磨具包括滚筒本体，所述滚筒本体的表面设置有凸起的椭球形聚酰亚胺膜，所述滚筒本体的两端分别设置有聚二甲基硅氧烷。
4.根据权利要求1所述的OLED显示装置的制备方法，其特征在于，所述S20中，所述彩膜层包括依次循环排列的多个不同颜色的子彩膜层。
5.根据权利要求4所述的OLED显示装置的制备方法，其特征在于，所述第一黑色矩阵设置于相邻的所述子彩膜层之间的间隙区，且与相邻的所述子彩膜层无重叠相连。
6.根据权利要求1所述的OLED显示装置的制备方法，其特征在于，所述S20中，所述OLED发光层包括红色子发光层、蓝色子发光层以及绿色子发光层。
7.根据权利要求1所述的OLED显示装置的制备方法，其特征在于，所述S20中，所述薄膜封装层包括由下到上层叠设置的第一无机层、有机层以及第二无机层。
8.根据权利要求7所述的OLED显示装置的制备方法，其特征在于，所述第一无机层的材料为氮化硅、二氧化硅、三氧化二铝、二氧化钛以及二氧化锆等以上一种或任意二种以上的组合，所述第二无机层的材料与所述第一无机层的材料相同。
9.根据权利要求7所述的OLED显示装置的制备方法，其特征在于，所述有机层的材料为亚克力、环氧树脂或有机硅。
10.一种采用权利要求1-9任一项所述的制备方法制备的OLED显示装置，其特征在于，包括：TFT阵列基板、OLED发光层、薄膜封装层以及彩膜基板；
其中，所述彩膜基板包括彩膜层以及黑色矩阵，所述黑色矩阵的表面为凹陷的蜂窝状纳米结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
