[发明专利]OLED显示装置的制备方法及OLED显示装置

说明书

一种OLED显示装置的制备方法及OLED显示装置，所述方法包括：使用多层阳极氧化铝模板制备纳米压印磨具；提供一TFT阵列基板，在所述TFT阵列基板表面由下到上依次设置OLED发光层、薄膜封装层以及彩膜基板，所述彩膜基板包括彩膜层以及第一黑色矩阵；使用所述纳米压印磨具对所述第一黑色矩阵进行压印，形成第二黑色矩阵，所述第二黑色矩阵的表面为凹陷的蜂窝状纳米结构，压印后冷却，制成OLED显示装置。有益效果：本发明所提供的OLED显示装置的制备方法及OLED显示装置，将彩膜基板上的黑色矩阵表面设置为凹陷的蜂窝状纳米结构，降低了黑色矩阵表面的反射率，进一步提高了黑色矩阵对光的吸收效率，更进一步增强了OLED显示装置在户外强光下的对比度。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种OLED显示装置的制备方法及OLED显示装置。

背景技术

目前偏光片(POL)能够有效地降低强光下显示面板的反射率，却损失了接近58％的出光。这对于OLED来说，极大地增加了其寿命负担；另一方面，偏光片厚度较大、材质脆，不利于动态弯折产品的开发。为了开发基于OLED现实技术的动态弯折产品，必须导入新材料、新技术以及新工艺替代偏光片。现有技术使用彩膜替代偏光片能将功能层的厚度从100微米降到小于5微米，而且能够将出光率从42％提高至60％。然而，基于彩膜技术的面板表面反射率很难做的很低(7.1％)，不利于室外显示。

综上所述，现有的OLED显示装置，由于基于彩膜技术的面板表面反射率过高，导致彩膜基板对光吸收效率过低，进一步降低了OLED显示装置在户外强光下的对比度。

发明内容

本发明提供一种OLED显示装置的制备方法，能够降低彩膜基板表面的反射率，以解决现有的OLED显示装置，由于基于彩膜技术的面板表面反射率过高，导致彩膜基板对光吸收效率过低，进一步降低了OLED显示装置在户外强光下的对比度的技术问题。

为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：

本发明提供一种OLED显示装置的制备方法，所述方法包括：

S10，使用多层阳极氧化铝模板制备纳米压印磨具；

S20，提供一TFT阵列基板，在所述TFT阵列基板表面由下到上依次设置OLED发光层、薄膜封装层以及彩膜基板，所述彩膜基板包括彩膜层以及第一黑色矩阵；

S30，使用所述纳米压印磨具对所述第一黑色矩阵进行压印，形成第二黑色矩阵，所述第二黑色矩阵的表面为凹陷的蜂窝状纳米结构，压印后冷却，制成OLED显示装置。

根据本发明一优选实施例，所述S10中，所述纳米压印磨具为圆柱滚筒状。

根据本发明一优选实施例，所述纳米压印磨具包括滚筒本体，所述滚筒本体的表面设置有凸起的椭球形聚酰亚胺膜，所述滚筒本体的两端分别设置有聚二甲基硅氧烷。

根据本发明一优选实施例，所述S20中，所述彩膜层包括依次循环排列的多个不同颜色的子彩膜层。

根据本发明一优选实施例，所述第一黑色矩阵设置于相邻的所述子彩膜层之间的间隙区，且与相邻的所述子彩膜层无重叠相连。

根据本发明一优选实施例，所述S20中，所述OLED发光层包括红色子发光层、蓝色子发光层以及绿色子发光层。

根据本发明一优选实施例，所述S20中，所述薄膜封装层包括由下到上层叠设置的第一无机层、有机层以及第二无机层。

根据本发明一优选实施例，所述第一无机层的材料为氮化硅、二氧化硅、三氧化二铝、二氧化钛以及二氧化锆等以上一种或任意二种以上的组合，所述第二无机层的材料与所述第一无机层的材料相同。

根据本发明一优选实施例，所述有机层的材料为亚克力、环氧树脂或有机硅。