[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

提供具有第一主表面和相对的第二主表面的第一半导体衬底，所述第一主表面上形成有第一金属层；

提供具有第一主表面和相对的第二主表面的第二半导体衬底，其中所述第二半导体衬底包括形成在其中的多个有源器件区域和第二金属层，所述第二金属层形成在第一主表面上、连接所述多个有源器件区域中的每一个；

将所述第一半导体衬底的所述第一金属层接合到所述第二半导体衬底的所述第二金属层；以及

在所述第二半导体衬底的第二主表面上形成器件接触件以用于电连接至所述多个有源器件区域中的每一个。

2.根据权利要求1所述的方法，包括将所述第一半导体衬底的所述第一金属层接合到所述第二半导体衬底的所述第二金属层，以形成设置在两个半导体层之间的金属层。

3.根据权利要求1或2所述的方法，包括使用金接合层或铝接合层将所述第一半导体衬底的所述第一金属层接合到所述第二半导体衬底的所述第二金属层。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，包括在将所述第一金属层接合到所述第二金属层之前，使所述第二半导体衬底的相对的第二主表面变薄。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，包括形成从所述第二半导体衬底的所述第一主表面延伸到相对的第二主表面的一个或多个沟槽区域。

6.根据权利要求5所述的方法，还包括用绝缘材料填充所述沟槽区域。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其中，所述第二半导体衬底是绝缘体上硅衬底。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其中，所述多个有源器件区域是双向有源器件区域。

9.一种半导体器件，包括：

第一半导体衬底，其具有第一主表面和相对的第二主表面，所述第一主表面上形成有第一金属层；以及

第二半导体衬底，其具有第一主表面和相对的第二主表面，其中所述第二半导体衬底包括形成在其中的多个有源器件区域和第二金属层，所述第二金属层形成在第一主表面上、连接所述多个有源器件区域中的每一个；

其中，所述第一半导体衬底的所述第一金属层接合到所述第二半导体衬底的所述第二金属层；器件接触件设置在所述第二半导体衬底的第二主表面上以用于电连接至所述多个有源器件区域中的每一个。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中，所述第一半导体衬底的所述第一金属层接合到所述第二半导体衬底的所述第二金属层，以形成设置在两个半导体层之间的金属层。

11.根据权利要求8或9所述的半导体器件，其中，所述第一金属层和所述第二金属层是金或铝。

12.根据权利要求8至10中任一项所述的半导体器件，还包括从所述第二半导体衬底的第一主表面延伸到相对的第二主表面的一个或多个沟槽区域。

13.根据权利要求11所述的半导体器件，其中，所述沟槽区域填充有绝缘材料。

14.根据权利要求8至12中任一项所述的半导体器件，其中，所述第二半导体衬底是绝缘体上硅衬底。

15.根据权利要求8至13中任一项所述的半导体器件，其中，所述有源器件区域是双向有源器件区域。