[发明专利]扇出型半导体封装件

权利要求书

1.一种扇出型半导体封装件，所述扇出型半导体封装件包括：

框架，包括多个绝缘层、设置在所述多个绝缘层上的多个布线层以及穿过所述多个绝缘层并使所述多个布线层彼此电连接的多个连接过孔层，并且所述框架具有凹部以及设置在所述凹部的底表面上的止挡层；

半导体芯片，包括主体和钝化层，所述主体具有设置有连接焊盘的有效表面以及与所述有效表面相对的无效表面，所述钝化层设置在所述有效表面上并且具有使所述连接焊盘的至少部分从所述钝化层暴露的开口，所述半导体芯片设置在所述凹部中使得所述无效表面连接到所述止挡层；

树脂层，设置在所述半导体芯片的所述有效表面上；

包封剂，覆盖所述半导体芯片和所述树脂层中的每个的侧表面的至少部分并且填充所述凹部的至少部分；

多个第一重新分布层，包括设置在所述树脂层上的第一组第一重新分布层和设置在所述包封剂上的第二组第一重新分布层；

多个第一重新分布过孔，穿过所述树脂层以填充所述树脂层中的使在所述钝化层的所述开口中暴露的所述连接焊盘的所述至少部分暴露的通路孔，并使所述连接焊盘和所述第一组第一重新分布层彼此电连接；以及

连接构件，设置在所述树脂层和所述包封剂上，并且包括电连接到所述多个第一重新分布层的一个或更多个第二重新分布层，

其中，所述连接焊盘电连接到所述多个布线层，

其中，所述第一组第一重新分布层中的每个的下表面具有与所述树脂层直接接触的第一区域以及与所述多个第一重新分布过孔中的至少一个直接接触的第二区域，并且

其中，所述钝化层设置在所述半导体芯片的所述有效表面与所述树脂层之间。

2.根据权利要求1所述的扇出型半导体封装件，其中，所述树脂层的上表面和所述包封剂的上表面彼此共面。

3.根据权利要求2所述的扇出型半导体封装件，其中，所述多个布线层中的最上面的布线层的上表面与所述树脂层的所述上表面和所述包封剂的所述上表面共面，并且

所述第二组第一重新分布层的至少部分与所述多个布线层中的所述最上面的布线层的至少部分物理接触。

4.根据权利要求2所述的扇出型半导体封装件，其中，所述多个连接过孔层中的最上面的连接过孔层的上表面与所述树脂层的所述上表面和所述包封剂的所述上表面共面，并且

所述第二组第一重新分布层的至少部分与所述多个连接过孔层中的所述最上面的连接过孔层的至少部分物理接触。

5.根据权利要求1所述的扇出型半导体封装件，其中，所述树脂层包括光可成像介电质。

6.根据权利要求1所述的扇出型半导体封装件，其中，所述多个绝缘层包括芯绝缘层、设置在所述芯绝缘层的下表面上的一个或更多个第一积聚绝缘层以及设置在所述芯绝缘层的上表面上的一个或更多个第二积聚绝缘层，并且

所述芯绝缘层具有比所述第一积聚绝缘层和所述第二积聚绝缘层中的每个的厚度大的厚度。

7.根据权利要求6所述的扇出型半导体封装件，其中，所述第一积聚绝缘层的数量和所述第二积聚绝缘层的数量彼此相同。

8.根据权利要求6所述的扇出型半导体封装件，其中，所述凹部至少穿过所述芯绝缘层和所述一个或更多个第二积聚绝缘层。

9.根据权利要求6所述的扇出型半导体封装件，其中，穿过所述第一积聚绝缘层的第一连接过孔和穿过所述第二积聚绝缘层的第二连接过孔为减缩方向彼此相反的锥形。

10.根据权利要求6所述的扇出型半导体封装件，其中，所述凹部不穿过所述第一积聚绝缘层中的至少一个。

11.根据权利要求1所述的扇出型半导体封装件，其中，所述止挡层是金属层。

12.根据权利要求11所述的扇出型半导体封装件，其中，所述多个布线层中的至少一个包括接地层，并且

所述金属层电连接到所述接地层。