[发明专利]扇出型半导体封装件有效

专利信息
申请号: 201910109734.6 申请日: 2019-02-11
公开(公告)号: CN110137149B 公开(公告)日: 2023-04-11
发明(设计)人: 黑柳秋久;明俊佑;金恩实;金暎阿 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L23/48 分类号: H01L23/48;H01L23/485;H01L23/31
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 马金霞;马翠平
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 扇出型 半导体 封装
【说明书】:

本发明提供了一种扇出型半导体封装件。所述扇出型半导体封装件包括:框架,包括绝缘层、布线层和连接过孔层,并且所述框架具有凹部以及设置在所述凹部的底表面上的止挡层;半导体芯片,设置在所述凹部中;树脂层,设置在所述半导体芯片的有效表面上;包封剂,覆盖所述半导体芯片的侧表面和所述树脂层的侧表面的至少部分并且填充所述凹部的至少部分;第一重新分布层,设置在所述树脂层和所述包封剂上;第一重新分布过孔,穿过所述树脂层以填充所述树脂层中的使所述连接焊盘的至少部分暴露的通路孔,并使所述连接焊盘和所述第一重新分布层彼此电连接;以及连接构件,设置在所述树脂层和所述包封剂上,并且包括一个或更多个第二重新分布层。

本申请要求于2018年2月9日在韩国知识产权局提交的第10-2018-0016157号韩国专利申请的优先权的权益,该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。

技术领域

本公开涉及一种半导体封装件,更具体地,涉及一种电连接结构可延伸到其中设置有半导体芯片的区域的外部的扇出型半导体封装件。

背景技术

近来,与半导体芯片相关的技术发展的显著趋势是减小了半导体芯片的尺寸。因此,在封装技术领域中,随着对小尺寸半导体芯片等的需求的快速增加,需要在包括多个引脚的同时实现具有紧凑尺寸的半导体封装件。

提出满足上述技术需求的半导体封装技术的一种类型是扇出型半导体封装件。这样的扇出型封装件具有紧凑的尺寸,并且可通过使连接端子重新分布到设置有半导体芯片的区域的外部来实现多个引脚。

发明内容

本公开的一方面可提供一种可通过减少布线路径实现优异的电特性并且可减少成本的扇出型半导体封装件。

根据本公开的一方面,可提供一种扇出型半导体封装件,在所述扇出型半导体封装件中,引入了具有凹部以及设置在所述凹部的底表面上的止挡层的框架,在所述凹部中设置半导体芯片,并且在不使用昂贵的铜柱的情况下,在所述半导体芯片的有效表面上预先形成树脂层,以通过镀覆等形成重新分布层确保布线路径。

根据本公开的一方面,一种扇出型半导体封装件可包括:框架,包括多个绝缘层、设置在所述多个绝缘层上的多个布线层以及穿过所述多个绝缘层并使所述多个布线层彼此电连接的多个连接过孔层,并且所述框架具有凹部以及设置在所述凹部的底表面上的止挡层;半导体芯片,包括主体和钝化层,所述主体具有设置有连接焊盘的有效表面以及与所述有效表面相对的无效表面,所述钝化层设置在所述有效表面上并且具有使所述连接焊盘的至少部分暴露的开口,并且所述半导体芯片设置在所述凹部中使得所述无效表面连接到所述止挡层;树脂层,设置在所述半导体芯片的所述有效表面上;包封剂,覆盖所述半导体芯片和所述树脂层中的每个的侧表面的至少部分并且填充所述凹部的至少部分;第一重新分布层,设置在所述树脂层和所述包封剂上;第一重新分布过孔,穿过所述树脂层以填充所述树脂层中的使所述连接焊盘的至少部分暴露的通路孔,并使所述连接焊盘和所述第一重新分布层彼此电连接;以及连接构件,设置在所述树脂层和所述包封剂上,并且包括电连接到所述第一重新分布层的一个或更多个第二重新分布层。所述连接焊盘可电连接到所述多个布线层。

附图说明

通过下面结合附图进行的详细描述,本公开的以上和其他方面、特征和优点将被更清楚地理解,在附图中:

图1是示出电子装置系统的示例的示意性框图;

图2是示出电子装置的示例的示意性透视图;

图3A和图3B是示出扇入型半导体封装件在被封装之前和封装之后的状态的示意性截面图;

图4是示出扇入型半导体封装件的封装工艺的示意性截面图;

图5是示出扇入型半导体封装件安装在球栅阵列(BGA)基板上并且最终安装在电子装置的主板上的情况的示意性截面图;

图6是示出扇入型半导体封装件嵌入在BGA基板内并且最终安装在电子装置的主板上的情况的示意性截面图;

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