[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置有效
申请号: | 201910121362.9 | 申请日: | 2019-02-19 |
公开(公告)号: | CN109904342B | 公开(公告)日: | 2021-04-09 |
发明(设计)人: | 陈磊;全威 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L27/32;G09F9/30 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 袁礼君;阚梓瑄 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制作方法 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括:
背板,包括平面部和弯曲部;
发光层,设于所述背板的第一面;
像素定义层,设于所述背板的第一面,并且将所述发光层至少划分为第一发光单元和第二发光单元,其中,所述第一发光单元所发的光的波长大于所述第二发光单元所发的光的波长;
校正层,用于对所述第一发光单元所发出的光进行吸收和反射,所述校正层设于第一像素定义区远离所述背板的一侧,所述第一像素定义区为所述弯曲部上和所述第一发光单元相邻且靠近所述平面部一侧的像素定义层,所述校正层的材料为阴极金属层材料。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一发光单元为红光单元。
3.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:
第一保护层,设于所述发光层远离所述背板的一侧,所述校正层设于所述发光层远离所述背板的一侧。
4.如权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:第二保护层,设于所述校正层远离所述第一保护层的一侧。
5.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述校正层的材料包括镁和银中至少一种。
6.如权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述校正层的厚度为3~8纳米。
7.如权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述第一保护层厚度为10~300纳米。
8.如权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,所述第二保护层厚度为300~1500纳米。
9.一种阵列基板的制作方法,其特征在于,所述方法包括:
提供一背板,所述背板包括平面部和弯曲部;
在所述背板上形成发光层和像素定义层,所述像素定义层将所述发光层至少划分为第一发光单元和第二发光单元,其中,所述第一发光单元所发的光的波长大于所述第二发光单元所发的光的波长;
在第一像素定义区远离所述背板的一侧形成校正层,所述第一像素定义区为所述弯曲部上和所述第一发光单元相邻且靠近所述平面部一侧的像素定义层,所述校正层用于对所述第一发光单元所发出的光进行吸收和反射,所述校正层的材料为阴极金属层材料。
10.如权利要求9所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述方法还包括:
在所述发光层远离所述背板的一侧形成第一保护层。
11.如权利要求10所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述方法还包括:
在所述校正层远离所述第一保护层的一侧形成第二保护层。
12.如权利要求9所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,在所述第一像素定义区远离所述背板的一侧形成校正层,包括:
在所述第一像素定义区远离所述背板的一侧进行蒸镀,形成所述校正层,所述校正层的材料包括镁和银中至少一种。
13.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1~8任一项所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择