[发明专利]金属氧化物半导体晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201910125919.6 | 申请日： | 2019-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN111599860B | 公开（公告）日： | 2023-10-13 |
| 发明（设计）人： | 许祥华;黄良安;钟昇镇;郭镇铵;李秋德;王智充;陈广修;林克峰;李彦辉;胡凯婷 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 晶体管 及其 制造 方法 | ||
1.一种金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，包括:
基板，具有延伸于第一方向的多个沟槽，位于该基板的顶部；
栅极结构线，在该基板上延伸于与该第一方向交叉的第二方向，且跨过该多个沟槽；
第一掺杂线，在该基板中位于该栅极结构线的第一侧，跨过该多个沟槽；及
第二掺杂线，在该基板中位于该栅极结构线的第二侧，跨过该多个沟槽。
2.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，该第一方向垂直于该第二方向。
3.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，该多个沟槽的深度是在100埃到700埃的范围。
4.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，该多个沟槽的深度是在300埃到400埃的范围。
5.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，该多个沟槽的宽度相等于相邻两个该沟槽之间的距离。
6.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，该多个沟槽的宽度是250nm或是更多。
7.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，该基板包含深P型阱区，其中该第一掺杂线与该第二掺杂线形成在该深P型阱区中。
8.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，该第一掺杂线是P型且该第二掺杂线是N型。
9.根据权利要求1所述的金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，该栅极结构线包括:
栅极绝缘层，位于该基板上；以及
栅极线层，位于该栅极绝缘层上。
10.根据权利要求9所述的金属氧化物半导体晶体管，其特征在于，该栅极线层是多晶硅层。
11.一种制造金属氧化物半导体晶体管的方法，其特征在于，包括:
提供基板，该基板具有延伸于第一方向的多个沟槽，位于该基板的顶部；
在该基板上形成栅极结构线，延伸于与该第一方向交叉的第二方向，且跨过该多个沟槽；
对该基板进行注入，以在该基板中形成第一掺杂线与第二掺杂线，延伸于与该第一方向交叉的第二方向，且跨过该多个沟槽；以及
形成栅极结构线，在该基板上延伸于该第二方向，且跨过该多个沟槽，其中该第一掺杂线是在该栅极结构线的第一侧且该第二掺杂线是在该栅极结构线的第二侧。
12.根据权利要求11所述的制造金属氧化物半导体晶体管的方法，其特征在于，该第一方向垂直于该第二方向。
13.根据权利要求11所述的制造金属氧化物半导体晶体管的方法，其特征在于，该多个沟槽的深度是在100埃到700埃的范围。
14.根据权利要求11所述的制造金属氧化物半导体晶体管的方法，其特征在于，该多个沟槽的深度是在300埃到400埃的范围。
15.根据权利要求11所述的制造金属氧化物半导体晶体管的方法，其特征在于，该多个沟槽的宽度相等于相邻两个该沟槽之间的距离。
16.根据权利要求11所述的制造金属氧化物半导体晶体管的方法，其特征在于，该多个沟槽的宽度是250nm或是更多。
17.根据权利要求11所述的制造金属氧化物半导体晶体管的方法，其特征在于，对该基板进行注入的该步骤还包括在该基板中形成深P型阱区，该第一掺杂线与该第二掺杂线形成在该深P型阱区中。
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