[发明专利]一种显示基板及其制作方法、显示装置有效
申请号: | 201910151312.5 | 申请日: | 2019-02-28 |
公开(公告)号: | CN109904186B | 公开(公告)日: | 2021-10-29 |
发明(设计)人: | 梁志伟;刘英伟;狄沐昕;王珂;曹占锋;焦士搏 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L27/12;G09F9/33 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;胡影 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 及其 制作方法 显示装置 | ||
1.一种显示基板,其特征在于,包括:
衬底基板,所述衬底基板具有第一通孔;
设置于所述衬底基板的第一侧的驱动薄膜晶体管,所述驱动薄膜晶体管包括第一极和第二极;
设置于所述衬底基板的第二侧的无机发光二极管芯片,所述无机发光二极管芯片包括第一引脚和第二引脚,所述无机发光二极管芯片的第一引脚通过填充于所述第一通孔内的第一导电部与对应的所述驱动薄膜晶体管的第一极电连接,所述第二引脚与设置于所述衬底基板的第二侧的第二电极电连接,所述第二电极用于与公共电压连接端电连接;
所述衬底基板还具有第二通孔;所述显示基板还包括:
填充于所述第二通孔内的第二导电部;
设置于所述衬底基板的第二侧的第三电极,所述第二电极通过所述第三电极与所述第二导电部电连接;
设置于所述驱动薄膜晶体管的远离所述衬底基板的一侧的第四电极,所述第四电极用于与公共电压连接端电连接,所述第四电极与所述第三电极通过所述第二导电部电连接;
所述驱动薄膜晶体管还包括栅极和有源层,所述栅极设置于所述有源层和所述衬底基板之间,所述有源层在所述衬底基板上的正投影落入所述栅极在所述衬底基板上的正投影区域内。
2.如权利要求1所述的显示基板,其特征在于,还包括:
设置于所述无机发光二极管芯片和所述衬底基板之间的第一电极,所述第一引脚通过所述第一电极与第一导电部电连接。
3.如权利要求2所述的显示基板,其特征在于,所述第一电极与所述第一导电部一体成型,且同材料。
4.如权利要求1-3任一项所述的显示基板,其特征在于,所述第一导电部采用金属材料形成。
5.如权利要求4所述的显示基板,其特征在于,所述金属材料包括Cu。
6.如权利要求2或3所述的显示基板,其特征在于,所述第一通孔的尺寸为10~200um,所述第一电极和所述第二电极的厚度为10~20um。
7.如权利要求1所述的显示基板,其特征在于,还包括:
设置于所述驱动薄膜晶体管的远离所述衬底基板的一侧的第五电极和第六电极,所述第五电极用于与数据驱动芯片电连接,所述第六电极用于与栅极驱动芯片电连接,所述第五电极与所述驱动薄膜晶体管的第二极电连接,所述第六电极与所述驱动薄膜晶体管的栅极电连接。
8.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-7任一项所述的显示基板。
9.一种显示基板的制作方法,其特征在于,用于制作如权利要求1所述的显示基板;包括:
提供衬底基板;
在所述衬底基板的第一侧形成驱动薄膜晶体管;
形成贯通所述衬底基板的第一通孔;
在所述第一通孔内形成第一导电部;
在所述衬底基板的第二侧形成第二电极,所述第二电极用于与公共电压连接端电连接;
采用巨量转移技术将无机发光二极管芯片设置到所述衬底基板的第二侧,并使得所述无机发光二极管芯片的第一引脚通过所述第一导电部与所述驱动薄膜晶体管的第一极电连接,和,使得所述无机发光二极管芯片的第二引脚与所述第二电极电连接。
10.如权利要求9所述的方法,其特征在于,在采用巨量转移技术将无机发光二极管芯片设置到所述衬底基板的第二侧之前,还包括:
在所述衬底基板的第二侧形成与所述第一导电部电连接的第一电极,且所述第一电极用于与所述无机发光二极管芯片的第一引脚电连接。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910151312.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的