[发明专利]一种显示装置、显示背板及制作方法

说明书

本发明提供一种显示装置、显示背板及制作方法，涉及显示技术领域，所述制作方法包括：提供一衬底基板；在衬底基板上形成背板功能层，以及位于背板功能层上的多个凹槽；背板功能层包括多个驱动薄膜晶体管，驱动薄膜晶体管包括第一电极和第二电极；采用巨量转移技术将LED芯片转移至凹槽内，LED芯片靠近衬底基板的一面为发光面，远离衬底基板的一面设置有第三电极和第四电极；形成连接电极层的图形，连接电极层包括第一连接电极和第二连接电极，第一连接电极的一端与驱动薄膜晶体管的第一电极连接，另一端与LED芯片的第三电极连接，第二连接电极的一端与LED芯片的第四电极连接。从而，能提升LED芯片的绑定效率和绑定良率，且降低生产成本。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种显示装置、显示背板及制作方法。

背景技术

随着科技的发展，新型的发光二极管(Light Emitting Diode，LED)的技术也越来越成熟。例如：微发光二极管(Micro-LED)技术是将现有LED的尺寸微缩至100微米以下，尺寸约为普通LED尺寸的1％，能够通过巨量转移技术，将微米量级的RGB三色Micro-LED转移到驱动基板上，从而形成各种不同尺寸的Micro-LED显示器。简单来说，Micro-LED就是LED的薄膜化、微型化与阵列化，每一个Micro-LED像素可以定址、单独驱动发光，相邻像素间的距离由毫米级降到微米级。Micro-LED具有自发光高亮度、高对比度、超高分辨率与色彩饱和度、长寿命、响应速度快、节能、适应环境宽泛等诸多优点。Micro-LED显示技术可以涵盖从增强现实技术(Augmented Reality，AR)/虚拟现实技术(Virtual Reality，VR)等微显示、手机电视等中等尺寸显示到影院大屏幕显示领域。

现有技术中，Micro-LED显示屏一般采用顶发射模式，往往采用倒焊接技术将Micro-LED芯片绑定(Bonding)到驱动背板上，但绑定效率、良率偏低。然而，针对较低的绑定良率，难以对高分辨率、大面积进行点对点修复，即，Micro-LED背板修复的效率低。

具体请参阅图1，现有技术的显示背板，采用低温多晶硅技术-驱动薄膜晶体管(Low Temperature Poly-Silicon-Thin Film Transistor，LTPS-TFT)来驱动Micro-LED。这种方式往往采用银浆或者锡膏将Micro-LED绑定到背板电极(Pad)(为ITO-Ag-ITO的三层结构)上，但是在绑定的过程中会发生绑定断路导致Micro-LED像素无法点亮。以标准的4K超高清(Ultra-High Definition，UHD)显示屏为例，共3840×2160＝8,294,400个像素，对于RGB Micro-LED，共需要8,294,400×3＝24,883,200个Micro-LED芯片(芯片数量为千万级)，但修复大量由于绑定导致失效的Micro-LED芯片是一个难题，逐一修复的时间和费用成本很高，如果能大面积进行高良率的Micro-LED绑定将有效降低Micro-LED显示背板的成本。

因此，如何提升绑定效率、良率，是目前亟待解决的技术问题。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种显示装置、显示背板及制作方法，以解决目前的绑定效率、良率偏低的技术问题。

为解决上述技术问题，第一方面，本发明提供一种显示背板的制作方法，包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板上形成背板功能层，以及位于所述背板功能层上的多个凹槽；所述背板功能层包括多个驱动薄膜晶体管，所述驱动薄膜晶体管包括第一电极和第二电极；

采用巨量转移技术将LED芯片转移至所述凹槽内，所述LED芯片靠近所述衬底基板的一面为发光面，远离所述衬底基板的一面设置有第三电极和第四电极；