[发明专利]一种薄膜太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种薄膜太阳能电池制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

依次在衬底层上制备背电极层、光吸收层、缓冲层、高阻窗口层、第一低阻窗口层以及第二低阻窗口层；其中，所述第一低阻窗口层与所述第二低阻窗口层的材质不同；

在所述第二低阻窗口层上制备第一纳米孔阵列以形成掩模版；其中，所述第一纳米孔阵列中的第一纳米孔上下贯通；

通过所述掩模版在所述第一低阻窗口层上制备第二纳米孔阵列；其中，所述第二纳米孔阵列中的第二纳米孔的孔深小于所述第一低阻窗口层的厚度。

2.如权利要求1所述的薄膜太阳能电池制备方法，其特征在于，所述第一纳米孔阵列是通过湿法刻蚀工艺制备的，使用的刻蚀溶液为第一反应溶液。

3.如权利要求2所述的薄膜太阳能电池制备方法，其特征在于，所述第二纳米孔阵列是通过湿法刻蚀工艺制备的，使用的刻蚀溶液为第二反应溶液。

4.如权利要求3所述的薄膜太阳能电池制备方法，其特征在于，所述第一反应溶液和第二反应溶液相同或不同。

5.如权利要求1-4任一项所述的薄膜太阳能电池制备方法，其特征在于，还包括：在所述第二低阻窗口层的表面制备电极。

6.如权利要求1-4任一项所述的薄膜太阳能电池制备方法，其特征在于，在所述通过所述掩模版在所述第一低阻窗口层的上制备第二纳米孔阵列的步骤之后还包括：

去除所述第二低阻窗口层。

7.如权利要求6所述的薄膜太阳电池制备方法，其特征在于，所述第二低阻窗口层是通过刻蚀工艺去除的。

8.如权利要求6所述的薄膜太阳能电池制备方法，其特征在于，在去除所述第二低阻窗口层的步骤之后还包括：

在所述第一低阻窗口层的表面制备电极。

9.一种采用权利要求1-8任一项所述的薄膜太阳能电池制备方法制备的薄膜太阳能电池。

10.如权利要求9所述的薄膜太阳能电池，其特征在于，

所述第一纳米孔的直径为10nm～1000nm，优选为50nm～200nm；

和/或，所述第一纳米孔的孔深为20nm～1000nm，优选为100nm～200nm

和/或，所述第二纳米孔的直径为10nm～1000nm，优选为50nm～100nm；

和/或，所述第二纳米孔的孔深为20nm～300nm，优选为50nm～100nm；

和/或，所述第一纳米孔阵列与所述第二纳米孔阵列的周期均为10nm～1000nm，优选为100nm～300nm。