[发明专利]ZnSe半柱面镜开发工艺

权利要求书

1.ZnSe半柱面镜开发工艺，其特征在于，包括以下步骤：

S1，根据产品尺寸(R12.7*12.7*25.4)，选用相应面镜基材，尺寸28*27*14，无严格要求。

S2，成盘加工基材，环磨加工可良好保证整盘尺寸一致性，分别加工6个表面。

S3，环抛27*25.4面，尺寸至27*25.4*13.5(0/-0.005)，且保证光圈良好(最终为产品S2面)。

S4，取两件环抛完成的半成品，将两抛光面(27*25.4)用光敏胶胶合，良好保证平面光洁度，胶合后半成品尺寸为27*27*25.4；并在27*27两面各胶合一D27左右平凸透镜。

S5，磨边：将平凸透镜凸面作为定位面，磨边至外径D25.6(0/-0.02)尺寸；(透镜与磨边夹具接触，定位稳定，便于磨边加工)。

S6，将两边透镜拆除，V型槽手工搓圆至D25.4，保证整根产品外径一致性0.02以内。

S7，将两块产品拆除，去除平面光敏胶，上盘，低抛加工产品柱面，并达到客户需求；抛光前产品消耗尺寸一致，抛光加工尺寸消耗0.02左右，对偏心影响微小，有效保证偏心要求。

S8，下盘，清洗，倒边，产品完工。

2.根据权利要求1所述的ZnSe半柱面镜开发工艺，其特征在于，所述S1中镜面基材采用长方体形状较为合适，其密度为2500公斤-3000公斤/立方米，且其尺寸不做体特殊要求，但是最小应该为长28*宽27*厚度14毫米，尺寸公差控制在0.01以内。

3.根据权利要求1所述的ZnSe半柱面镜开发工艺，其特征在于，所述S2中成盘加工基材分别加工6个表面的尺寸至少27*25.4*13.52，尺寸公差控制在0.01以内。

4.根据权利要求1所述的ZnSe半柱面镜开发工艺，其特征在于，所述S4中的光敏胶由由光敏树脂作为光引发剂，其固化是在一定强度和波长的紫外光作用下实现的，胶接和作为光致抗蚀剂(光刻胶)用于微型电路和集成电路元件的制造。

5.根据权利要求1所述的ZnSe半柱面镜开发工艺，其特征在于，所述S4中的光敏胶相对分子质量较低的含C═C双键的低聚物，主要有环氧类、聚酯类、聚氨酯类等，其中，聚氨酯丙烯酸酯是我国目前应用较多的一种光敏低聚物，可赋予光敏胶良好的韧性、粘接性及化学稳定性。