[发明专利]ZnSe半柱面镜开发工艺

说明书

本发明公开了ZnSe半柱面镜开发工艺，本发明为了解决现有技术的存在的缺点，提出了nSe半柱面镜开发工艺，包括以下步骤：S1，根据产品尺寸(R12.7*12.7*25.4)，选用相应面镜基材，尺寸28*27*14，S2，成盘加工基材，环磨加工可良好保证整盘尺寸一致性，分别加工6个表面，S3，环抛27*25.4面，尺寸至27*25.4*13.5(0/‑0.005)，S4，取两件环抛完成的半成品，将两抛光面(27*25.4)用光敏胶胶合，良好保证平面光洁度，胶合后半成品尺寸为27*27*25.4，S5，磨边，磨边至外径D25.6(0/‑0.02)尺寸，S7，将两块产品拆除，去除平面光敏胶，上盘，低抛加工产品柱面，并达到客户需求；抛光前产品消耗尺寸一致，抛光加工尺寸消耗0.02左右，S8，下盘，清洗，倒边，产品完工。本发明利用常规长方体基材即可，有效节约成本。

技术领域

本发明涉及面镜开发技术领域，尤其涉及ZnSe半柱面镜开发工艺。

背景技术

ZnSe属直接带隙II-IV族半导体,面心立方结构,具有优异的理化性质,可用于制造蓝光半导体激光器件、光探测器件、非线性光学器件、波导调制器等；同时作为优秀的红外材料,是红外透镜、激光窗口、红外热像仪的首选材料，ZnSe透镜可用古典抛光法加工，ZnSe 窗口片可双面抛或者环抛加工等。透镜及窗口应用广泛，但对于产品的光学冷加工方面，加工难度较大。本发明将以ZnSe柱面镜详解，且产品为半圆柱，尺寸为R12.7*12.7厚*25.4宽，常规加工存在如下问题：常规半圆柱基材价格昂贵，且精度无法保证和加工半圆柱产品可先加工为圆棒后切割，但ZnSe材料软，切割难度大，并且极易损坏已加工光学表面，产品存在偏心要求，因产品为半圆柱，精磨加工极易造成消耗量不均匀，不能达到完全半圆，另外偏心无法保证。

发明内容

本发明的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的ZnSe 半柱面镜开发工艺ZnSe半柱面镜开发工艺。

为了实现上述目的，本发明采用了如下技术方案：

ZnSe半柱面镜开发工艺ZnSe半柱面镜开发工艺，包括以下步骤：

S1，根据产品尺寸(R12.7*12.7*25.4)，选用相应面镜基材，尺寸28*27*14，无严格要求。

S2，成盘加工基材，环磨加工可良好保证整盘尺寸一致性，分别加工6个表面。

S3，环抛27*25.4面，尺寸至27*25.4*13.5(0/-0.005)，且保证光圈良好(最终为产品S2面)。

S4，取两件环抛完成的半成品，将两抛光面(27*25.4)用光敏胶胶合，良好保证平面光洁度，胶合后半成品尺寸为27*27*25.4；并在27*27两面各胶合一D27左右平凸透镜。

S5，磨边：将平凸透镜凸面作为定位面，磨边至外径D25.6 (0/-0.02)尺寸；(透镜与磨边夹具接触，定位稳定，便于磨边加工)。

S6，将两边透镜拆除，V型槽手工搓圆至D25.4，保证整根产品外径一致性0.02以内。

S7，将两块产品拆除，去除平面光敏胶，上盘，低抛加工产品柱面，并达到客户需求；抛光前产品消耗尺寸一致，抛光加工尺寸消耗 0.02左右，对偏心影响微小，有效保证偏心要求。

S8，下盘，清洗，倒边，产品完工。

所述S1中镜面基材采用长方体形状较为合适，其密度为2500公斤-3000公斤/立方米，且其尺寸不做体特殊要求，但是最小应该为长28*宽27*厚度14毫米，尺寸公差控制在0.01以内。

所述S2中成盘加工基材分别加工6个表面的尺寸至少 27*25.4*13.52，尺寸公差控制在0.01以内。