[发明专利]天线的封装结构及封装方法在审

专利信息
申请号: 201910160726.4 申请日: 2019-03-04
公开(公告)号: CN109768032A 公开(公告)日: 2019-05-17
发明(设计)人: 陈彦亨;林正忠;吴政达 申请(专利权)人: 中芯长电半导体(江阴)有限公司
主分类号: H01L23/66 分类号: H01L23/66;H01L23/00;H01L23/31;H01L21/48;H01Q1/22
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 罗泳文
地址: 214437 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 聚合物 隔离层 封装结构 金属馈线 封装层 封装 天线 热膨胀系数 重新布线层 金属凸块 聚酰亚胺 其他材料 天线电路 天线封装 天线金属 有效释放 分割 包覆 匹配 变形 芯片 传递
【权利要求书】:

1.一种天线的封装结构,其特征在于,所述封装结构包括:

重新布线层,所述重新布线层包括第一面以及相对的第二面;

第一金属馈线柱,形成于所述重新布线层上;

第一封装层,包覆所述第一金属馈线柱,且其顶面显露所述第一金属馈线柱;

聚合物隔离层,形成于所述第一封装层上,且所述聚合物隔离层被分割成多个块区;

第二金属馈线柱,形成于所述聚合物隔离层上,且所述第二金属馈线柱与所述第一金属馈线柱连接;

第二封装层,包覆所述第二金属馈线柱,且其顶面显露所述第二金属馈线柱;

天线金属层,形成于所述第二封装层上,所述天线金属层与所述第二金属馈线柱连接;

天线电路芯片,结合于所述重新布线层的第一面,并通过所述重新布线层以及所述第一、第二金属馈线柱与所述天线金属层电性连接;以及

金属凸块,形成于所述重新布线层的第一面,以实现所述重新布线层的电性引出。

2.根据权利要求1所述的天线的封装结构,其特征在于:所述聚合物隔离层包括聚酰亚胺。

3.根据权利要求1所述的天线的封装结构,其特征在于:所述聚合物隔离层由分割道分割成多个块区,且所述分割道位于相邻的两天线单元之间。

4.根据权利要求1所述的天线的封装结构,其特征在于:所述聚合物隔离层形成有开孔,所述开孔所述开孔中填充有金属栓塞,所述金属栓塞与所述第一金属馈线柱连接,所述第二金属馈线柱形成于所述金属栓塞上。

5.根据权利要求1所述的天线的封装结构,其特征在于:所述第一金属馈线柱及第二金属馈线柱的材料包括Au、Ag、Cu、Al中的一种。

6.根据权利要求1所述的天线的封装结构,其特征在于:所述第一封装层及第二封装层的材料包括聚酰亚胺、硅胶以及环氧树脂中的一种。

7.权利要求1所述的天线的封装结构,其特征在于:所述天线电路芯片包括主动组件及被动组件中的一种或两种,其中,所述主动组件包括电源管理电路、发射电路及接收电路中的一种,所述被动组件包括电阻、电容及电感中的一种。

8.根据权利要求1所述的天线的封装结构,其特征在于:所述金属凸块包括锡焊料、银焊料及金锡合金焊料中的一种。

9.一种天线的封装方法,其特征在于,所述封装方法包括步骤:

1)提供一支撑基底,于所述支撑基底上形成分离层;

2)于所述分离层上形成重新布线层,所述重新布线层包括与所述分离层连接的第一面以及相对的第二面;

3)于所述重新布线层的第二面上形成第一金属馈线柱;

4)采用第一封装层封装所述第一金属馈线柱,减薄所述第一封装层,使得所述第一金属馈线柱的顶面露出于所述第一封装层;

5)于所述第一封装层表面形成聚合物隔离层,将所述聚合物隔离层分割成多个块区,以释放所述聚合物隔离层的应力;

6)于所述聚合物隔离层上形成第二金属馈线柱,所述第二金属馈线柱与所述第一金属馈线柱连接;

7)采用第二封装层封装所述第二金属馈线柱,减薄所述第二封装层,使得所述第二金属馈线柱的顶面露出于所述第二封装层;

8)于所述第二封装层上形成天线金属层,所述天线金属层与所述第二金属馈线柱连接;

9)基于所述分离层剥离所述重新布线层及所述支撑基底,露出所述重新布线层的第一面;

10)提供一天线电路芯片,将所述天线电路芯片接合于所述重新布线层的第一面,使得所述天线电路芯片通过所述重新布线层以及所述金属馈线柱与所述天线金属层电性连接;以及

11)于所述重新布线层的第一面形成金属凸块,以实现所述重新布线层的电性引出。

10.根据权利要求9所述的天线的封装方法,其特征在于:所述聚合物隔离层包括聚酰亚胺。

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